发明名称 | 半导体光电器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种和以前相比,光检测灵敏度更高,光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上,形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面,以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且,形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域,以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。 | ||
申请公布号 | CN1155110C | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
申请号 | CN98100637.X | 申请日期 | 1998.02.23 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大泽胜市;老邑克彦 |
分类号 | H01L31/10 | 主分类号 | H01L31/10 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
主权项 | 1、一种半导体光电器件,包括第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部,其特征在于:在上述受光部的表面区域上形成了一个由上述第1导电型杂质区域构成且用于消除电磁噪声的屏蔽部;上述屏蔽部只覆盖上述受光部表面的一部分,以免它和上述受光部的相互接触引起过大的自发噪声,上述屏蔽部占受光部表面的面积与受光部表面的面积比为0.25~0.95。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |