发明名称 一种氧化铬涂层制备工艺
摘要 本发明涉及一种氧化铬涂层制备工艺,采用电弧离子镀法,以纯铬作为阴极靶,阳极和真空室相连,阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极,所述直流电源的电流为10~100A,工作电压为15~40V,用氧气作反应气体,用Ar气作保护气体,镀膜前加-700V~-1000V的高偏压,利用辉光放电轰击基体表面2~5min,弧电流I<SUB>a</SUB>:30~60A,弧电压:15~40V,对基体轰击完后,通入氧气,氧流量:60~270sccm,工作压强:4.0~8.0×10<SUP>-1</SUP>Pa,脉冲偏压V<SUB>p</SUB>:0~-500V,占空比为0~40%。采用本发明经济、无公害、沉积速度快,可在低温下沉积且致密度高。
申请公布号 CN1506492A 申请公布日期 2004.06.23
申请号 CN02144707.1 申请日期 2002.12.06
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 孙超;纪爱玲;闻立时;王启民;汪伟;汪爱英;郑静地;肖金泉;曹鸿涛;柯培玲
分类号 C23C14/38;C23C14/08 主分类号 C23C14/38
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人 许宗富
主权项 1.一种氧化铬涂层制备工艺,其特征在于采用电弧离子镀法,以纯铬作为阴极靶,阳极和真空室相连,阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极,所述直流电源的电流为10~100A,工作电压为15~40V,具体步骤如下:1)抛光、清洗,基体经金相砂纸研磨抛光,在丙酮或酒精中用超声清洗预处理;2)装炉后将真空室抽至真空度为2.0×10-2~6.0×10-3pa,通入Ar气,压力为5×10-2~8×10-2Pa,镀膜前加-700V~-1000V的高偏压;3)利用辉光放电轰击基体表面2~5min,弧电流Ia:30~60A,弧电压:15~40V;4)对基体轰击完后,通入氧气,氧流量:60~270sccm,工作压强:4.0~8.0×10-1Pa,脉冲偏压Vp:0~-500V,占空比为0~40%。
地址 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号