发明名称 | 相变存储器及其制造方法 | ||
摘要 | 根据本发明的一个实施例,主要提供一种相变存储器和一种制造相变存储器的方法。相变存储器包含电极、粘合材料、在电极和粘合材料之间的绝缘材料,其中粘合材料的一部分、绝缘材料的一部分和电极的一部分形成为一个基本上平坦的表面。相变存储器还包含位于基本上平坦的表面上并接触电极、粘合材料、绝缘材料的相变材料。 | ||
申请公布号 | CN1506973A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
申请号 | CN03154684.6 | 申请日期 | 2003.08.25 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | C·H·丹尼森 |
分类号 | G11C13/04;G11B7/24 | 主分类号 | G11C13/04 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
主权项 | 1.一种设备,包括:电极;粘合材料;在该电极和该粘合材料之间的电介质材料,其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面;以及在该基本上平坦的表面上的相变材料,并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |