发明名称 相变存储器及其制造方法
摘要 根据本发明的一个实施例,主要提供一种相变存储器和一种制造相变存储器的方法。相变存储器包含电极、粘合材料、在电极和粘合材料之间的绝缘材料,其中粘合材料的一部分、绝缘材料的一部分和电极的一部分形成为一个基本上平坦的表面。相变存储器还包含位于基本上平坦的表面上并接触电极、粘合材料、绝缘材料的相变材料。
申请公布号 CN1506973A 申请公布日期 2004.06.23
申请号 CN03154684.6 申请日期 2003.08.25
申请人 英特尔公司 发明人 C·H·丹尼森
分类号 G11C13/04;G11B7/24 主分类号 G11C13/04
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;梁永
主权项 1.一种设备,包括:电极;粘合材料;在该电极和该粘合材料之间的电介质材料,其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面;以及在该基本上平坦的表面上的相变材料,并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。
地址 美国加利福尼亚州