| 发明名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件结构，包括衬底、淀积在衬底上的介质层、淀积在介质层上的第一和第二叠层。第一叠层包括淀积在介质层上的第一硅层、淀积在第一硅层上的锗化硅层、淀积在锗化硅层上的第二硅层以及淀积在第二硅层上的第三硅层。第二叠层包括淀积在介质层上的第一硅层以及淀积在第一硅层上的第二硅层。可供选择地，锗化硅层包括硼。 | ||
| 申请公布号 | CN1507056A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN03154035.X | 申请日期 | 2003.08.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布鲁斯·B·多里斯;阿什马·B·查克拉瓦蒂;凯文·K·钱;丹尼尔·A·尤里阿特 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件结构，包括：衬底；淀积在该衬底上的介质层；淀积在该介质层上的第一和第二叠层；该第一叠层包括淀积在该介质层上的第一硅层、淀积在该第一硅层上的锗化硅层、淀积在该锗化硅层上的第二硅层以及淀积在该第二硅层上的第三硅层；该第二叠层包括淀积在该介质层上的第一硅层以及淀积在该第一硅层上的第二硅层。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||