恶劣环境下使用的雪崩光电二极管

摘要

本发明提出了利用SiC或GaN材料制造的一种APD器件。根据本发明的实施例，一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管包括：具有第一掺杂剂的衬底110；位于该衬底之上的具有第一掺杂剂的第一层111；位于第一层之上的具有第二掺杂剂的第二层112；位于第二层之上的具有第二掺杂剂的第三层114；用于在雪崩光电二极管表面上提供电钝化的钝化层(116，122)；位于第三层之上用于限制移动离子输运的磷硅酸盐玻璃层124；以及用于提供欧姆接触的一对金属电极(118，120)，其中第一电极位于衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；并且其中雪崩光电二极管工作在温度大约等于150摄氏度的环境中。

主权项

1、一种用于检测紫外光子的雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管包括：衬底(110)，具有第一掺杂剂；位于该衬底之上的第一层(111)，其具有第一掺杂剂；位于第一层之上的第二层(112)，其具有第二掺杂剂；位于第二层之上的第三层(114)，其具有第二掺杂剂；钝化层(116，122)，用于在该雪崩光电二极管的表面上提供电钝化；位于第三层之上的磷硅酸盐玻璃层(124)，用于限制移动离子的输运；以及一对金属电极(118，120)，用于提供欧姆接触，其中第一电极位于该衬底之下且第二电极位于第三层之上；其中该雪崩光电二极管包括形成倾斜台面形状的第一侧壁和第二侧壁；以及其中该雪崩光电二极管工作在包括温度大约等于150摄氏度的环境中。