具有高介电常数穿隧介电层只读存储器的结构与制造方法

摘要

一种具有高介电常数穿隧介电层的只读存储器的制造方法，此方法是于基底上形成穿隧介电层，其中此穿隧介电层的材质选自氮氧化铪(H_fO_xN_y)与氮氧化硅铪(H_fSiON)所组的族群其中之一，接着，于穿隧介电层上依序形成电荷陷入层与顶氧化层。然后，定义顶氧化层、浮置栅极层与穿隧介电层以形成多个堆栈结构，再于堆栈结构之间的基底中形成掺杂区域，其后，于掺杂区域表面形成埋入式漏极氧化层，再于基底上形成图案化导体层以作为只读存储器的字符线。

主权项

1.一种具有高介电常数穿隧介电层的只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：于一基底上形成一穿隧介电层，其中该穿隧介电层的材质选自氮氧化硅铪与氮氧化铪所组的族群其中之一；于该穿隧介电层上依序形成一电荷陷入层与一顶氧化层；定义该顶氧化层、该浮置栅极层与该穿隧介电层以形成多个堆栈结构；进行一离子植入工艺，以于该些堆栈结构之间的该基底内形成一掺杂区域；于该掺杂区域表面形成一埋入式漏极氧化层；以及于该基底上形成一图案化导体层，以作为该只读存储器的字符线。