带电量评价装置、其制造方法及带电量的评价方法

摘要

一种可定量且简便评价半导体装置的带电量的带电量评价方法及用于该带电量评价方法的评价用晶片。准备具有硅基板(1)、由第1硅氧化膜(2)和SA－NSG膜夹着并被未掺杂硅膜(4)包围的p型区域(6)的带电量评价用晶片，对该晶片实施想要评价的处理，在用BHF液腐蚀后，通过测定p型区域(6)的腐蚀量，能够定量且简便评价处理时在晶片上产生的正电荷的量。

主权项

1.一种带电量评价装置，具备：基板，实质上具有内在的未掺杂硅层；p型区域，岛状散布在上述未掺杂硅层上；第1绝缘层，设在上述未掺杂硅层及上述p型区域的上面。