| 发明名称 | 集成电路电容器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极、下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1507055A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN200310118109.7 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安正勋;李京泰;郑武京;李庸俊 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/82;H01G4/00 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成于半导体衬底上的电容器，所述电容器包括：第一金属层的第一电极；第二金属层的第二电极，其比该第一金属层更接近该衬底；介于该第一电极和该第二电极之间的介质材料；和连接至该第一电极的下表面的布线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||