| 发明名称 | 单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合 | ||
| 摘要 | 用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与PHEMT的调制掺杂相反的被轻掺杂层分隔开的二个相同极性的平面掺杂层。此组合被不掺杂的材料分隔于PHEMT调制掺杂。电荷层薄而重掺杂。顶部电荷层(168)得到了低的栅接触电阻，且底部电荷层(153)确定了相对于PHEMT调制掺杂层的场效应晶体管(FET)电容。对于其它的晶体管，仅仅加入了一个额外的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1507660A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN02809313.5 | 申请日期 | 2002.03.04 |
| 申请人 | 康涅狄格州大学 | 发明人 | G·W·泰勒 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L31/072;H01L21/338;H01L21/331 | 主分类号 | H01L29/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它包含：生长在衬底上的一系列外延层，所述外延层包括N+掺杂层、被至少第一外延层分隔于所述N+掺杂层的形成p调制掺杂量子阱的第一多个层，形成n调制掺杂量子阱的第二多个层，所述第一多个层被至少第二外延层分隔于所述第二多个层，以及被至少第三外延层分隔于所述第二多个层的P+掺杂层。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||