发明名称 | 凸点形成方法以及形成装置 | ||
摘要 | 提供一种在半导体片上形成凸点时,进行与现有的不同的温度控制的凸点形成装置以及在该凸点形成装置中所实行凸点形成方法。包括焊接台(110)、移载装置(140)以及控制装置(180),在凸点形成后,根据上述控制装置的控制在上述焊接台的上方放置由上述移载装置所支撑的凸点形成后片(202),控制该片的温度下降。因此,即使是对温度变化敏感的化合物半导体片也能防止由热应力引起的龟裂等不良现象的发生。 | ||
申请公布号 | CN1155068C | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
申请号 | CN99807558.2 | 申请日期 | 1999.06.17 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 今西诚;成田正力;池谷雅彦;金山真司;前贵晴 |
分类号 | H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/60 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 黄永奎 |
主权项 | 1.一种凸点形成方法,是在形成在半导体片上的电路的电极上形成凸点的凸点形成方法,其特征是在为形成凸点所进行的所述半导体片的本加热后的所述半导体片的凸点焊接之后,在将该半导体片收纳在收纳容器之前,对所述半导体片实施控制所述半导体片的温度下降的后冷却动作;所述后冷却动作是在所述凸点焊接结束后,通过将所述半导体片放置在为在所述半导体片上的电路上所形成的电极上形成凸点所需要的本加热中,将所述半导体片加热到凸点焊接用温度的焊接台的上方与所述焊接台成非接触状态来实施的。 | ||
地址 | 日本大阪府 |