发明名称 | 用于窄隙填充用途的介电薄膜 | ||
摘要 | 在形成具有低热收缩的填隙介电材料中使用分散在溶剂中由致密材料构成的纳米颗粒的胶体悬浮体。该介电材料特别用于预金属介电材料和浅槽分隔用途。根据形成介电材料的这种方法,把胶体悬浮体沉积在衬底上并干燥形成多孔中间层。通过用液相基质材料如旋涂聚合物渗透,然后固化;通过用气相基质材料渗透,然后固化;或者仅通过固化使所述中间层改性,以提供填隙的热稳定耐侵蚀介电材料。 | ||
申请公布号 | CN1507653A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
申请号 | CN02806353.8 | 申请日期 | 2002.01.18 |
申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | N·哈克;S·谢;Y·邓;D·恩迪施;R·梁 |
分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏;杨九昌 |
主权项 | 1.一种在衬底上形成介电层的方法,该方法包括:在衬底上沉积胶体分散体,该胶体分散体包含分散在溶剂中的致密材料的颗粒,其中,所述致密材料是一种介电材料或者通过氧化或氮化可以转变成介电材料的材料;干燥该胶体分散体形成中间层;用基质材料渗透所述中间层形成渗透后的层;和固化所述渗透后的层,从而使渗透后的层改性,形成介电层。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |