| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底(11)上的晶体管(17)的绝缘膜(19)的接触孔(19a)中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区(15)上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜(20)；在接触孔(19a)的内部和上部填充有铂而形成了插塞(21)。在绝缘膜(19)的接触孔(19a)上，形成有与底层导电膜(20)及插塞(21)的上端面接触并包括由铂构成的下部电极(25)、由SrBi<SUB>2</SUB>Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>9</SUB>构成的电容绝缘膜(26)以及由铂构成的上部电极(27)的电容元件(28)。 | ||
| 申请公布号 | CN1155092C | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN99109287.2 | 申请日期 | 1999.06.25 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中尾圭策;佐佐井洋一;十代勇治;野间淳史 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L27/115;H01L21/768;H01L21/283;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在形成有半导体元件的衬底上形成能覆盖该半导体元件的绝缘膜的绝缘膜形成工序；在上述绝缘膜上形成连接孔之后，至少在上述连接孔的下部形成包含铂族元素的、能和上述半导体元件进行电连接的底层导电膜的底层导电膜形成工序；以及利用以上述底层导电膜为电极的电镀法，来在上述连接孔的上部形成包含铂族元素的导电膜的导电膜形成工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||