用于施加应力图形的隔离结构

摘要

一种在张力和/或压缩力作用下的衬底，该衬底可以改善在其中制造的器件的性能。可以通过选择适当的STI填充材料将张力和/或压缩力施加到衬底上。STI区形成在衬底层中，并对相邻的衬底区施加应力。在压缩力或张力作用下的衬底展现出与无应力衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变在衬底上形成的NFET和PFET中的这些应力，可以实现IC性能的改善。

主权项

1.一种用于在衬底中形成的器件的隔离结构，该器件各自具有纵向和横向，该结构包括：用于器件中的第一个器件的第一隔离区，在该第一隔离区中具有第一隔离材料，该材料沿纵向和横向对器件中的第一个器件施加第一种类型的机械应力。