具形成于网区选择性晶体管之积体半导体内存

摘要

一种积体半导体内存(10)被揭露，在每个实例中其选择性晶体管(3)系被形成于一网区(4)上，在每个实例中该网区系被设置在一绝缘层(11)上，该第一源极/漏极区域(5)则被设置在该网区的一侧向终端(A)的该绝缘层(11)上，且该第二源极/漏极区域(6)系被设置在该网区(4)的另一侧向终端(B)的该绝缘层(11)上，以及该网区(4)的两个纵向侧(14)与该网区(4)的一顶侧(15)系以一包含一闸极介电层(9)与一闸电极(16)的层次序而被覆盖。藉由此种设计，在该选择性晶体管(3)开着的状态下，可达到非常高的写－读电流，而在关掉的状态下则可降低漏电流的发生。

主权项

1.一种具有记忆胞元(1)的积体半导体内存(10)，该记忆胞元(1)具有一存储电容器(2)与一选择性晶体管(3)，该选择性晶体管(3)系在一用半导体材料所制成的网区(4)上形成且具有一第一(5)与一第二源极/漏极区域(6)以及至少一闸极层(7，8)，其中该网区(4)系被设置在一绝缘层(11)上，该第一源极/漏极区域(5)系被设置在该网区(4)的一侧向终端(A)的该绝缘层(11)上，且该第二源极/漏极区域(6)系被设置在该网区(4)的另一侧向终端(B)的该绝缘层(11)上，以及该网区(4)的两个纵向侧(14)与该网区(4)的一顶侧(15)系以一包含一闸极介电层(9)与一闸电极(16)的层次序而被覆盖。