发明名称 一种高效率之晶片探针测试方法
摘要 本发明系提供一种具高效率之晶片探针测试方法,其系在检测晶圆上之复数晶方(dice)后,在初始晶片图(Wafermap)上,以「BIN1」以外的分类代号表示“非完全优良”之晶方,另外,特别建立一全为「BIN1」分类代号表示之晶片图,将所述全为「BIN1」分类代号表示之晶片图并入该初始晶片图,包括须再重检之“非完全优良”晶方,以及确定而不须重检之“完全优良”晶方,而得到一完整之晶方检测结果晶片图,不但能够保存资料之完整性,且大福减少测试时间,避免实际品质为优良之晶方遭受重检。
申请公布号 TW594897 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW090101214 申请日期 2001.01.19
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨逢羿
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 何文渊 台北市信义区松德路一七一号二楼
主权项 1.一种高效率之晶片探针测试方法,系用于测试一晶圆上之复数晶方,该方法包括:全面检测该些晶方,以得到包含一完全优良及一非完全优良晶方位置分布图之一初始晶片图;以及根据该非完全优良晶方位置分布图,仅对该些晶方中非完全优良晶方进行检测。2.如申请专利范围第1项所述之高效率之晶片探针测试方法,其系使用探针卡(probe card)检测该些品方的各种性质,该些晶方中各晶方所检测之结果系以分类代号「BIN*」表示于该初始晶片图上,其中「*」代表一数字。3.如申请专利范围第2项所述之高效率之晶片探针测试方法,其中该些晶方中检测为非完全优良之各晶方系以「BIN1」以外的分类代号表示于该初始晶片图上。4.如申请专利范围第1项所述之高效率之晶片探针测试方法,其中代表该些晶方中测试为完全优良之各晶方,在该初始晶片图上系全部以「BIN1」的分类代号表示。图式简单说明:图一系为全部显现出「BIN1」的分类代号表示之晶片图示意图。图二系为显现为经初次检测结果“非完全优良"晶方晶片图。图三系为将图一及图二合并而显示完整之晶方检测结果晶片图。
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号