| 主权项 |
1.一种移除晶圆边缘光阻层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有一光阻层于其上;固定该晶圆于一可旋转之支撑装置之上;旋转该可旋转之支撑装置;以一光源曝光该晶圆,其中该光源是位于一低于该晶圆的位置;及显影该晶圆。2.如申请专利范围第1项之方法,其中之该光源为一紫外线光源,该紫外线光源之一波长为约350nm至约450nm之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中之该光源为一深紫外线光源,该深紫外线光源之一波长为约240nm。4.如申请专利范围第1项之方法,其中之该光源为一电子束光源。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之该光源为一X射线光源。。6.一种移除晶圆边缘光阻层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有一光阻层于其上;固定该晶圆于一可旋转之支撑装置之上;旋转该可旋转之支撑装置;以一光源曝光该晶圆,其中该光源是位于一低于该晶圆的位置,使得该光源之一方向与该晶圆之一法线方向相交形成一夹角;及显影该晶圆。7.如申请专利范围第6项之方法,其中之该光源为一紫外线光源,该紫外线光源之一波长为约350nm至约450nm之间。8.如申请专利范围第6项之方法,其中之该光源为一深紫外线光源,该深紫外线光源之一波长为约240nm。9.如申请专利范围第6项之方法,其中之该光源为一电子束光源。10.如申请专利范围第6项之方法,其中之该光源为一X射线光源。11.如申请专利范围第6项之方法,其中之该夹角以60度较佳。12.一种移除晶圆边缘光阻层的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一晶圆;固定该晶圆于一可旋转之支撑装置之上;旋转该可旋转之支撑装置;形成一光阻层于该晶圆上以一光源曝光该晶圆,其中该光源是位于一低于该晶圆的位置;及显影该晶圆。13.如申请专利范围第12项之方法,其中之该光源为一紫外线光源,该紫外线光源之一波长为约350nm至约450nm之间。14.如申请专利范围第12项之方法,其中之该光源为一深紫外线光源,该深紫外线光源之一波长为约240nm。15.如申请专利范围第12项之方法,其中之该光源为一电子束光源。16.如申请专利范围第12项之方法,其中之该光源为一X射线光源。图式简单说明:第一A图为一涂布有一光阻层之晶圆之剖面图;第一B图显示使用晶圆边缘曝光法与蚀刻第一A图中所示之晶圆的结果;第一C图显示使用边缘冲洗法于第一A图中所示之晶圆的结果;第一D图为第一C图中所示之晶圆之俯视图;第二A图显示本发明移除晶圆边缘光阻层之方法与装置;及第二B图显示移除晶圆边缘光阻材料之结果。 |
