制备3,3',5,5',6,6'-六烷基-2,2'-联酚,3,3',4,4',5,5'-六烷基-2,2'-联酚与3,3',4,4',5,5',6,6'-八烷基-2,2'-联酚之方法

摘要

兹揭示一种制造下式化合物之方法

主权项

1.一种制造下式化合物之方法其包含:在含分子氧之气体与含铜触媒存在下,氧化地偶合下式化合物该含铜触媒系藉由包含以有机二胺化合物接触铜卤盐之方法制造,其中R1为C1至C6第一、第二或环烷基;R2为H、C1至C6第一、第二、第三、或环烷基;R3为C1至C6第一、第二、第三、或环烷基;及R4为H、C1至C6第一、第二或环烷基,其条件为R2与R4不均为H。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中铜卤盐为CuC1.CuBr、CuI、或CuC12。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中有机二胺化合物为N,N,N',N'-四乙基乙二胺、N,N,N',N'-四乙基-1,3-丙二胺、N,N,N',N'-四乙基甲二胺、N,N,N',N'-四甲基-1,6-己二胺、N,N,N',N'-四甲基-1,3-丙二胺、二啶甲烷、N,N,N',N'-四甲基乙二胺、或1,4-二氮双环-(2,2,2)-辛烷。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中R2.R3与R4各为甲基或乙基。5.一种下式化合物其中:R1为甲基、乙基、正丙基、或异丙基;R2为H或甲基;R3为甲基、乙基、正丙基、异丙基、或第三丁基;及R4为甲基;其条件为如果R1为异丙基且R2为氢,则R3不为甲基。6.根据申请专利范围第5项之化合物,其中R1为甲基或异丙基;R2为H或甲基;R3为甲基、异丙基、或第三丁基;及R4为甲基。7.根据申请专利范围第6项之化合物,其中R1为异丙基;R2为H;R3为异丙基;及R4为甲基。