| 主权项 |
1.一种发光二极体驱动之省电方法,其装置系包括有驱动电路、记忆体及发光二极体所组成之矩阵显示萤幕,当该由发光二极体所组成的显示萤幕电源被启动后,系依下列步骤执行省电功能:(A)记忆体内部自预定之列号(N)输出资料;(B)检查记忆体内部资料,检查该资料値是否为0;(C)延迟旗标设定为0,驱动电路将该预定列号(N)执行动作,并抓取记忆体内部预定列号(N)输出资料;以及(D)延迟旗标设定为1,该预定列号(N)延迟一周期。(E)检查列号(N)是否产生溢位若溢位时,列号之値回到1之起始値;若未溢位时,依原値输出。2.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(B)之判断结果为是时,则执行步骤(D);若判断结果为否时,则执行步骤(C)。3.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(C)执行完毕时,执行列号累加(N=N+1),再返回执行步骤(A)。4.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(D)执行完毕时,并执行列号累加(N=N+1),再返回执行步骤(A)。5.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该记忆体系为一静态记忆体(SRAM)。6.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该记忆体系为一动态记忆体(DRAM)。7.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该发光二极体系为一有机发光二极体(Organic Light-EmittingDiode,OLED)。8.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该发光二极体系为一真空萤光显示器(Vacuum Fluorescence Display,VFD)。9.如申请专利范围第1项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该发光二极体系为一发光二极体(Light-Emitting Diode,LED)。10.一种发光二极体驱动之省电方法,其装置系包括有驱动电路、记忆体及发光二极体所组成之矩阵显示萤幕,当该由发光二极体所组成的显示萤幕电源被启动后,系依下列步骤执行省电功能:(a)记忆体内部自预定列号(N)输出资料,并检视非动作旗标(M)之总和;(b)检视预定列号(N)之非动作旗标値为1或0;(c)显示萤幕对应之列号(N)产生动作,并抓取记忆体内部预定列号输出资料;以及,(d)应用上一周期电流値(A)、新电流値(B)、列号(N)与非动作旗标总数(M)数値之比値关系,将电流做下降低调整。11.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(d)之电流降低调整公式如下:上一周期电流値=A;新电流値B=A*(N-M)/N;以及上述公式之新电流値所降低数値,为上一周期电流値乘上(可动作列数)与(扫描线总列数和)之比値,并由驱动电路调整至新电流値,而进一步输出至显示萤幕上。12.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(b)之检视数値若为1时,则执行列号累加(N=N+1)后,其返回执行步骤(a)。13.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该步骤(b)之检视数値若为0时,则先执行步骤(c)后,其执行列号累加(N=N+1)后,续返回执行步骤(a)。14.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该记忆体系为一静态记忆体(SRAM)。15.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该记忆体系为一动态记忆体(DRAM)。16.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该该发光二极体系为一有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。17.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该发光二极体系为一真空萤光显示器(VacuumFluorescence Display,VFD)。18.如申请专利范围第10项所述之一种发光二极体驱动之省电方法,其中该发光二极体系为一发光二极体(Light-Emitting Diode,LED)。图式简单说明:图一系为习知的显示萤幕扫描方式之执行步骤流程图。图二系为习知记忆体内部资料输出对应至显示萤幕之实施示意图。图三系为本发明发光二极体驱动之省电方法的第一实施流程。图四系为本发明忆体内部资料输出对应至显示萤幕之第一实施示意图。图五系为本发明发光二极体驱动之省电方法的第二实施流程。图六系为本发明忆体内部资料输出对应至显示萤幕之第二实施示意图。 |
