半导体元件之阻障层孔洞消除方法

摘要

一种半导体元件之阻障层孔洞消除方法，其系于高密度电浆化学气相沉积(HDPCVD)制程中，先通入氢气并施加偏压使氩气形成高密度电浆来对阻障层(Barrier Layer)进行溅击(Sputter)，以将一阻障层中的孔洞(Void)打开，然后以高密度电浆化学气相沉积法形成一介电层(Dielectric)，据此，当一半导体元件上形成一阻障层时，则可于介电层形成时，利用电浆将阻障层中的孔洞打开，进而消除阻障层中之孔洞。

主权项

1.一种半导体元件之阻障层孔洞消除方法至少包含步骤:通入氩气并施加偏压使氩气形成高密度电浆来对该阻障层进行溅击,以打开该阻障层中的孔洞;以及以高密度电浆化学气相沉积法形成一介电层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之偏压为1000瓦至4000瓦。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之氢气的流量为50sccm至400sccm。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之进行该溅击之溅击时间为1秒至3秒。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之以高密度电浆化学气相沉积法形成该介电层之溅击/沉积比(D/S Ratio)为2.0至8.0。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之阻障层系为氮化矽(Si3N4)层。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之阻障层系为多矽基氧化物(Silicon Rich Oxide,SRO)层。8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之介电层系为内介电层(Inter Layer Dielectric,ILD)。9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之阻障层孔洞消除方法,其中上述之介电层系为前金属介电层(Pre-Metal Dielectric,PMD)。图式简单说明:图1至图3为示意图,显示习知技术中形成阻障层与介电层之半导体元件之剖面图。图4至图6为示意图,显示本发明较佳实施例之半导体元件之阻障层孔洞消除方法中半导体元件之剖面图。