| 主权项 |
1.一种-己内醯胺之制法,包括下述步骤:(i)在流体化床中使用硼酸触媒以外之固体触媒,使环己酮进行气相贝克曼重排(Beckmann rearrangement)反应,(ii)将用于步骤(i)之固体触媒再生,其中该固体触媒之再生步骤包括下述次步骤:(a)使固体触媒持续或间断流出贝克曼重排反应步骤(i),(b)以含氧气体在升温下处理固体触媒,因而从再生步骤至反应步骤过程中,使触媒之氮含量落于10ppm至2,500ppm范围内,(c)使所处理的固体触媒返回至贝克曼重排反应步骤(i)。2.如申请专利范围第1项之-己内醯胺制法,其中该固体触媒为pentasil型沸石。3.如申请专利范围第2项之-己内醯胺制法,其中该沸石具有MFI结构。4.如申请专利范围第2项之-己内醯胺制法,其中该原子比Si/M为500或更大5.如申请专利范围第1或2项之-己内醯胺制法,其中该贝克曼重排反应系于至少一种含1至2个碳原子之低级醇共存下进行。图式简单说明:第1图为本发明所用装置之剖视图,显示贝克曼重排步骤及触媒再生步骤,其中1为反应器、2为再生器、3为螺旋进料机、4为控制阀、5至9各为管。 |
