| 主权项 |
1.一种在基质上形成介电膜之方法,其包含:使涂覆溶液在基质表面上淀积,该涂覆溶液包含介电物质及配方溶剂;和使芳族脂族醚溶剂在基质表面之边缘部份上淀积,其中芳族脂族醚溶剂系具有下列式子之溶剂,其中R=CnH2n+1且n=1至6,和其中R1至R5之每一个各别系CmH2m+1,其中m=0至3。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中芳族脂族醚溶剂系选自包括下列各物之溶剂:茴香醚、甲基茴香醚、苯乙醚及其混合物。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系聚(次芳基醚)。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中配方溶剂包含芳族脂族醚。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中聚(次芳基醚)系选自具下列各式之聚合物:其中,在式1中,y=0-1,且在式1和2中,x系约2至约200。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中配方溶剂系芳族脂族醚。7.根据申请专利范围第3项之方法,其中聚(次芳基醚)系选自具下列式之聚合物:其中,在式3中,Y、Ar及Z各别系且Z系在1和约200间。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中配方溶剂系芳族脂族醚。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系选自包括:聚(次芳基醚)(PAE)、聚(次芳基醚酮醚)(PAEEK)、聚(次芳基醚醚乙炔)(PAEEA)、聚(次芳基醚醚乙炔醚酮醚)(PAEEAEEK)、聚(次芳基醚醚乙炔酮)(PAEEAK)、聚(次基醚)(PNE)及苯基-炔化芳族单体及寡聚物。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系具下列通式之有机氢化矽氧烷树脂:其中n和m之和系8至5000,并选择m,以至于有机取代物系以1莫耳%至99莫耳%之量存在;x、y和z之和系8至5000,并选择y,以至于有机取代物系以1莫耳%至99莫耳%之量存在;且R系选自取代过和未取代过直链和分支烷基团、环烷基团、取代过和未取代过芳基团及其混合物。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系部份氢化和部份缩合烷氧基矽烷组合物,且其中方法更包括使烷氧基矽烷组合物熟化,以形成毫微多孔性介电膜。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系旋转涂覆玻璃物质。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中介电物质系聚(过氢化)矽氮烷。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中配方溶剂系芳族脂族醚。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中更包括使用芳族脂族醚溶剂洗濯晶圆背面。16.根据申请专利范围第1项之方法,其中更包括使用芳族脂族醚溶剂洗濯涂覆设备零件。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中方法系在旋转涂覆器上实行,且其中涂覆设备零件之洗濯包括旋转涂覆杯洗濯及喷嘴洗濯。18.一种聚合性溶液,其包含溶解在芳族脂族醚溶剂中之无机旋转涂覆聚合物,其中芳族脂族醚溶剂系具下列式之溶剂 ,其中R=CnH2n+1且n=1至6,和其中R1至R5之每一个各别系CmH2m+1,其中m=0至3。19.根据申请专利范围第18项之溶液,其中聚合物系聚(过氢化)矽氮烷。20.根据申请专利范围第18项之溶液,其中溶剂系选自下列各物:茴香醚、甲基茴香醚、苯乙醚及其混合物。21.一种微电子装置,其包括藉下列方法,在微电子装置之基质上所形成之介电膜:使涂覆溶液淀积在微电子装置基质表面,该涂覆溶液包含介电物质及配方溶剂;和使芳族脂族醚溶剂淀积在基质表面之边缘部份,其中芳族脂族醚溶剂系具下列式之溶剂 ,其中R=CnH2n+1且n=1至6,和其中R1至R5之每一个各别系CmH2m+1,其中m=0至3。图式简单说明:图1a至1c显示实例5所制备弗列尔TM(FLARETM)薄膜之珠粒边缘侧面图,其中:图1a显示以茴香醚分配5秒钟之珠粒边缘侧面图;图1b显示以茴香醚分配1秒钟之珠粒边缘侧面图;且图1c显示以环己酮分配5秒钟之珠粒边缘侧面图。 |
