溅射靶

摘要

将使用作为对于Cu配线膜之障层的TaN膜等，例如适用偏置溅射所形成时，能在长时间内实现安定之电浆状态。为高纯度Ta所构成的溅射靶。构成该溅射靶之高纯度Ta，系在0.001~20ppm]之范围合有由具有自维持放电特性之Ag、Au及Cu所选择之至少一种元素。具有此等自维持放电特性之元素系促进Ta之离子化，由此能安定电浆状态。具有自维持放电特性的元素含有量之偏差，系作为整体靶为30%以内。又，溅射膜的膜厚面内均匀性为5%以下。

主权项

1.一种溅射靶,属于高纯度Ta所构成的溅射靶,其特征为:上述高纯度Ta系在0.001-20ppm之范围含有由具有Ag、Au及Cu所选择之至少一种元素;溅射膜的膜厚面内均一性为4.9%;由作为上述靶整体之上述Ag、Au及Cu所选择之至少一种元素之含有量的偏差为30%以内者。2.如申请专利范围第1项所述之溅射靶,其中,上述高纯度Ta,系作为杂质元素之Fe、Ni、Cr、Si、Al、Na及K之合计含有量为100ppm以下者。3.如申请专利范围第1项所述之溅射靶,其中,上述靶系与支撑板接合者。4.如申请专利范围第1项所述之溅射靶,其中,上述靶系使用于形成TaN膜所构成之障层之际者。5.如申请专利范围第1项所述之溅射靶,其中,上述靶系使用于形成对于Cu或Cu合金所构成之配线膜的障层之际者。图式简单说明:第1图系表示用以说明本发明的溅射靶之Ag、Au及Cu之含有量之测定方法的图式。