发明名称 在基板中形成槽的方法及系统
摘要 所描述的实施例系有关于在一基板(606)中形成槽(604)之方法及系统,一项示范性实施例中,一槽(604)形成于一具有第一及第二相对表面之基板(606)中。一第一沟道(802)系乾蚀刻(820)通过基板(606)的第一表面(610),一第二沟道(612)系生成(822)通过基板(606)的第二表面(612)以连同第一沟道(802)有效地形成一槽(604)。槽(604)至少一部份完全穿过基板(606),且槽(606)的最大宽度小于或等于基板(604)厚度之约50%。
申请公布号 TW592986 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW091114083 申请日期 2002.06.26
申请人 惠普公司 发明人 麦克D 米勒;麦克 哈格;直人A 河村;小罗伯托A 普里斯;罗纳德L 安可;苏珊L 康福;沈 布斯威尔;梅尔根 卡瓦里
分类号 B41J2/135 主分类号 B41J2/135
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种在一列印头基板(606)中制造一槽(604)之方法,其包含:乾蚀刻(820)穿过该基板(606)的一第一表面(610),该基板(606)在该第一表面与一第二相对表面之间具有一厚度;及,砂钻(822)穿过该基板(606)的第二表面(612),连同该蚀刻有效地形成一槽(604),该槽(604)的至少一部份系完全穿过该基板(606)的厚度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该乾蚀刻(820)移除该基板(606)厚度的大约25%至约75%。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在该砂钻(822)的作用之前进行该乾蚀刻(820)的作用。4.一种流体射出装置(142),其具有根据申请专利范围第1项之方法形成之一基板(606)。5.一种在一半导体基板(606)中形成流体处理槽(604)之方法,该基板(606)具有相对的第一及第二表面之间的一厚度,该方法包含:从该第一表面(610)乾蚀刻(820)进入该基板(604)以形成一具有一长度与一宽度之第一沟道(802);及经由该第二表面(812)移除(822)基板(606)材料以形成一第二沟道(804),其中该等第一及第二沟道的至少一部份相交截形成通过该基板(606)的一槽(604),且其中该槽(604)具有大于或等于约3的尺寸比。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该移除(822)包含下列一或多者:砂钻、雷射加工、乾蚀刻、湿蚀刻及机械钻制。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该移除(822)所形成的第二沟道(804)系具有该基板(606)厚度的约50%或以下之一最大宽度。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该乾蚀刻(820)所形成的第一沟道(802)系具有该基板(606)厚度的约25%至约75%之一深度。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该移除(822)形成的第二沟道(804)所具有之一最大宽度系小于或等于该乾蚀刻(820)形成的第一沟道(802)之最大宽度的约300%。10.一种流体射此装置(142),其具有根据申请专利范围第5项之方法制成之一基板(606)。图式简单说明:第1图为一示范性印表机的正视图;第2图为一示范性印表机的各种组件之方块图;第3及4图各显示根据一示范性实施例之一列印托架的立体图;第5图显示根据一示范性实施例之一列印托架的立体图;第6图显示根据一示范性实施例之一列印托架的一顶部之剖视图;第7图显示根据一示范性实施例之一列印头的俯视图;第8a-8f图各显示根据一示范性实施例之一基板的剖视图;第9a-9j图各显示根据一示范性实施例之一基板的剖视图。
地址 美国