| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征是所具备之步骤包含有:(a)准备一半导体基板,其在主面内具有露出之第1杂质区域,和在上述主面上具备包含有于其侧方设有第1绝缘膜之闸极电极的闸极构造;(b)在上述第1杂质区域上形成磊晶层,使其与上述闸极电极之间存在有上述第1绝缘膜;(c)在上述闸极电极之侧方,和上述磊晶层之上面全体形成第2绝缘膜;(d)在实行上述步骤(c)所获得之构造之上面上形成层间绝缘膜;(e)使用上述第2绝缘膜作为蚀刻阻挡膜对上述层间绝缘膜进行蚀刻,在与上述闸极电极之间存在有上述第2绝缘膜,和在上述层间绝缘膜形成达到上述磊晶层上之上述第2绝缘膜的第1接触孔;(f)对实行上述步骤(e)而露出之上述第2绝缘膜进行蚀刻,用来在上述第2绝缘膜形成达到上述磊晶层之第2接触孔;和(g)形成接触栓塞,使其充填在上述第1.第2接触孔。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中:在上述步骤(a)所准备之上述半导体基板,更在上述主面内具有与上述第1杂质区域不同导电型之第2杂质区域;上述第1杂质区域被设在上述第2杂质区域内;更具备有步骤(h),在上述步骤(f)之后,于上述步骤(g)之前,经由上述第1.第2接触孔和上述磊晶层,将杂质导入到上述半导体基板之上述主面内,在上述第2杂质区域之上面内形成与上述第1杂质区域相同导电型之比上述第1杂质区域深之第3杂质区域。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中更具备有步骤(i),在上述步骤(f)之后,于上述步骤(g)之前,从其上面局部除去由实行上述步骤(f)而露出之上述磊晶层。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中上述步骤(g)包含有步骤(g-1),在上述第1.第2接触孔内形成金属膜。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中上述步骤(g)更包含有步骤(g-2),在上述步骤(g-1)之前,在上述磊晶层之上面上,形成障壁金属层;在上述步骤(g-1),在上述障壁金属层上形成上述金属膜。图式简单说明:图1是剖面图,用来表示本发明之实施形态1之半导体装置之构造。图2是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图3是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图4是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图5是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图6是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图7是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图8是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图9是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图10是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图11是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图12是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图13是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图14是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图15是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图16是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图17是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图18是剖面图,以步骤顺序表示本发明之实施形态1之半导体装置之制造方法。图19是剖面图,用来表示本发明之实施形态2之半导体装置之构造。图20是剖面图,用来表示本发明之实施形态2之半导体装置之制造步骤之一部份。图21是剖面图,用来表示本发明之实施形态3之半导体装置之构造。图22是剖面图,用来表示本发明之实施形态3之半导体装置之制造步骤之一部份。图23是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之构造。图24是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之制造步骤之部份。图25是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之变化例之构造。图26是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之变化例之制造步骤之一部份。图27是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之变化例之构造。图28是剖面图,用来表示本发明之实施形态4之半导体装置之变化例之制造步骤之一部份。图29是剖面图,用来表示习知之半导体装置之构造。 |
