发明名称 高分子分散型液晶显示元件及其制造方法
摘要 本发明系提供一种高分子分散型液晶显示元件,特别系指在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,挟使液晶滴保持分散在高分子化合物中之高分子分散型液晶显示元件中,主要特征乃在于该液晶滴几乎具有相同形状及大小,且粒径的散乱度亦非常小,而使在广泛温度范围下,该液晶滴的定向型态可稳定的维持双极型,相对该电极间所外加电压的光穿透率之延滞亦非常小者。其次,在液晶高分子前驱体相溶液中添加界面限制力控制剂,并利用紫外线照射,而提升当产生高分子聚合及高分子与液晶的相分离时的温度,藉此可达使该液晶滴与高分子化合物的界面附近之液晶分子倾斜角变小,亦可使固定强度变大的功效。同时亦可达抑制静电容量的延滞,或在电压一穿透率特性中赋予穿透率10%以上的电压,其静电容量比率亦可在60%以上之功效。此外,将液晶材料表面张力,小于绝缘膜临界表面张力或高分子化合物表面张力方式,而可在广泛使用温度范围内,提升电界感应性。所以,本发明可广泛利用于使用温度属宽广范围之动画等显示,譬如电视或个人电脑等显示装置的构件上。
申请公布号 TW594190 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW086113367 申请日期 1997.09.13
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 久保田浩史;古佐小慎也;史尾健次;内藤纪子;上村强;山本雅夫
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种高分子分散型液晶显示元件,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,挟设高分子分散型液晶之高分子分散型液晶显示元件者,其特征在于:该高分子分散型液晶系使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散者,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内维持分散者,使位在该基板与高分子分散型液晶之界面附近区域外的液晶滴约略为相同形状及大小者。2.如申请专利范围第1项之高分子分散型液晶显示元件,其中该基质中的液晶滴的粒径零散度在10%以内者。3.如申请专利范围第2项之高分子分散型液晶显示元件,其中该高分子化合物由包含单官能基丙烯酸酯及/或多官能基丙烯酸酯之聚合物所构成者。4.如申请专利范围第3项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该单官能基丙烯酸酯系为异硬脂丙烯酸酯,而该多官能基丙烯酸则指由三乙二醇二丙烯酸酯、PEG#200二丙烯酸酯、PEG#400二丙烯酸酯、新戊烷醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、及下列化学式1所示2官能基胺酯丙烯酸酯等之中,选择一种以上者,化学式1CH2=CHCOO-R'-OOCNH-(R-NHCOO-(聚醇)-OOCNH)n-R-NHCOO-R'=CH2其中n系整数。5.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系具备相分离步骤的制造方法,该相分离步骤系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,设置含有液晶与高分子前驱体的液晶高分子前驱体相溶液后,利用以紫外线照射该基板面部,使该液晶高分子前驱体相溶液中的液晶与高分子前驱体产生相分离,且与相分离同时进行该高分子前驱体的聚合硬化,而使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散,或使液晶滴维持分散在由含有高分子化合物所构成三维网状基质网孔内之相分离步骤,其特征在于:该相分离步骤系具备控制由紫外线开始照射到相分离终了为止的时间T之控制手段,藉由该控制手段,可对该液晶高分子前驱体相溶液中高分子前驱体的聚合度、或在开始相分离时液晶析出核之产生密度中任一者或双方同时进行调整,而统合在基质中维持分散状态的液晶滴之粒径者。6.如申请专利范围第5项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该时间T乃指自紫外线开始照射到液晶高分子前驱体相溶液开始产生相分离为止的时间T1.及自开始相分离到相分离终了为止所需时间T2;而该控制手段则系控制该时间T1.或时间T2.或同时控制时间T1与T2者。7.如申请专利范围第6项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该时间T1的控制手段,系针对该液晶高分子前驱体相溶液,调整紫外线照射强度及液晶高分子前驱体相溶液的温度,而将时间T1控制在5秒以内者。8.如申请专利范围第6项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该时间T2的控制手段,系以由该液晶高分子前驱体相溶液中液晶完全析出出之际的相分离进行率为100%计,而相分离进行率由10%至90%所需时间为t10-90,以该t10-90为该T2之情况时,针对该液晶高分子前驱体相溶液,调整紫外线照射强度及液晶高分子前驱体相溶液的温度,而将时间t10-90控制在6秒以内者。9.如申请专利范围第8项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。10.如申请专利范围第8项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约2~13℃者。11.如申请专利范围第8项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为160~400mW/cm2左右,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约5~12℃者。12.如申请专利范围第6项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,同时控制该时间T1及T2的控制手段,乃针对该液晶高分子前驱体相溶液,调整紫外线照射强度及液晶高分子前驱体相溶液的温度,而将时间T1控制在5秒以内,同时,若以由该液晶高分子前驱体相溶液中液晶完全析出出之际的相分离进行率为100%计,而以相分离进行率由10%至90%所需时间为t10-90计的话,该t10-90为该T2之情况时,将时间t10-90控制在6秒以内者。13.如申请专利范围第12项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。14.如申请专利范围第12项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约2~13℃者。15.如申请专利范围第12项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为160~400mW/cm2左右,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约5~12℃者。16.如申请专利范围第12项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,同时控制该时间T1与T2的控制手段,系使该时间T1与该t10-90间,具有T2=aT1+b(其中,a,b为一次函数的定数)之关系存在,且该a在0.4以上而在0.7以下,而针对该液晶高分子前驱体相溶液,调整紫外线照射强度及液晶高分子前驱体相溶液的温度者。17.如申请专利范围第12项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。18.如申请专利范围第16项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约2~13℃者。19.如申请专利范围第16项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为160~400mW/cm2左右,且液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约5~12℃者。20.如申请专利范围第6~19项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液由包含单官能基丙烯酸酯及/或多官能基丙烯酸酯所构成者。21.如申请专利范围第20项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该单官能基丙烯酸酯系为异硬脂丙烯酸酯,而该多官能基丙烯酸则指由三乙二醇二丙烯酸酯、PEG#200二丙烯酸酯、PEG#400二丙烯酸酯、新戊烷醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、及下列化学式1所示2官能基胺酯丙烯酸酯等之中,选择一种以上者,化学式1CH2=CHCOO-R'-OOCNH-(R-NHCOO-(聚醇)-OOCNH)n-R-NHCOO-R'=CH2其中n系整数。22.一种高分子分散型液晶显示元件,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,挟设高分子分散型液晶之高分子分散型液晶显示元件,其特征在于:该高分子分散型液晶系使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散者,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内维持分散者,当该电极未被赋予外加电压时,该液晶滴内液晶分子的定向型态,各个液晶滴几乎相同,该液晶滴内液晶分子的定向型态,属在液晶/高分子化合物界面附近至少具有二个点缺陷之双极型,且该双极型的定向型态,系以该高分子分散型液晶显示元件中而使用液晶之透明点转移温度作为Tn时,该高分子分散型液晶显示元件的温度,至少可被维持在自10℃起至(Tn-5)℃的温度范围内者。23.如申请专利范围第22项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该电极在未赋予外加电压时,相对于该各个液晶滴内液晶分子的液晶/高分子化合物界面之平均倾斜角为10度以下者。24.一种高分子分散型液晶显示元件,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,挟设高分子分散型液晶之高分子分散型液晶显示元件,其特征在于:该高分子分散型液晶系使液晶在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散者,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内维持分散者,该高分子分散型液晶显示元件之电压、穿透率特性中,以在元件温度30℃下之穿透率90%的电压値作为V90伏特,该一对基板之间隔作为dm,该液晶滴平均粒径作为Rm时,具有(V90R)/d値为0.7以上之关系者。25.如申请专利范围第24项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该液晶滴内液晶分子的定向型态,系在液晶/高分子化合物界面附近至少具有二个点缺陷之双极型者。26.如申请专利范围第25项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该双极型的定向型态,系以该高分子分散型液晶显示元件中所使用液晶之透明点转移温度为Tn时,该高分子分散型液晶显示元件的温度,至少维持在自10℃起至(Tn-5)℃的温度范围内者。27.如申请专利范围第25项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该电极在未赋予外加电压时,相对于该各个液晶滴内液晶分子的液晶/高分子化合物界面之平均倾斜角为10度以下者。28.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,配置液晶材料与高分子材料之液晶高分子前驱体相溶液后,以紫外线照射该基板面,藉由该液晶高分子前驱体相溶液中液晶与高分子化合物的相分离,使在高分子基质中保持液晶滴分散的高分子分散型液晶之高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,其特征在于:当照射紫外线之际,该液晶高分子前驱体相溶液的液温约略较该液晶高分子前驱体相溶液的热相分离温度为高者。29.如申请专利范围第28项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体热相溶液相分离温度高出约3~15℃者。30.如申请专利范围第29项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。31.如申请专利范围第29项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该紫外线照射强度为160mW/cm2以上,且在400mW/cm2以下者。32.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,夹设有使液晶滴保持分散于含高分子化合物所构成的基质连续相中,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内保持分散之高分子分散型液晶的高分子分散型液晶显示元件,当未赋予该电极外加电压时,该液晶滴内液晶分子的定向型态,系在液晶/高分子化合物界面附近至少具有二个点缺陷之双极型,且该双极型的定向型态,系以该高分子分散型液晶显示元件中而使用液晶之透明点转移温度为Tn时,该高分子分散型液晶显示元件的温度,至少维持在自10℃起至(Tn-5)℃的温度范围内之高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,将该液晶材料与高分子材料之液晶高分子前驱体相溶液,配设于该一对基板之间,且使该液晶高分子前驱体相溶液之液温保持较该液晶高分子前驱体相溶液之热相分离温度略高温度状态,以紫外线照射该液晶高分子前驱体相溶液,而使液晶与高分子化合物产生相分离者。33.如申请专利范围第28项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约3~15℃,且紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。34.如申请专利范围第32项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液相分离温度高出约3~15℃,而紫外线照射强度为160mW/cm2以上,且在400mW/cm2以下者。35.如申请专利范围第32项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液,系包含单官能基丙烯酸酯及/或多官能基丙烯酸酯者。36.如申请专利范围第35项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该单官能基丙烯酸酯系为异硬脂丙烯酸酯,而该多官能基丙烯酸则指由三乙二醇二丙烯酸酯、PEG#200二丙烯酸酯、PEG#400二丙烯酸酯、新戊烷醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、及下列化学式1所示2官能基胺酯丙烯酸酯等之中,选择一种以上者,化学式1CH2=CHCOO-R'-OOCNH-(R-NHCOO-(聚醇)-OOCNH)n-R-NHCOO-R'=CH2其中n系整数。37.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在一对内侧面分别具备有电极的基板之间,使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散状态,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内保持分散之高分子分散型液晶的高分子分散型液晶显示元件,该高分子分散型液晶系使液晶在由含有高分子化合物所构成的基质连续相中维持分散者,亦或使液晶滴在由含有高分子化合物所构成的三维网状基质的网孔内维持分散之高分子分散型液晶显示元件,该高分子分散型液晶显示元件之电压、穿透率特性中,在元件温度30℃下之穿透率90%的电压値为V90,该一对基板之间隔为d,该液晶滴平均粒径为R时,具有(V90R)/d値为0.7以上之关系的高分子分散型液晶显示元件制造方法中,其中,将该液晶材料与高分子材料之液晶高分子前驱体相溶液,配设于该一对基板之间,且使该液晶高分子前驱体相溶液之液温保持较该液晶高分子前驱体相溶液之热相分离温度略高温度状态,以紫外线照射该液晶高分子前驱体相溶液,而使液晶与高分子化合物产生相分离者。38.如申请专利范围第37项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体热相溶液相分离温度高出约3~15℃,且该紫外线照射强度为100mW/cm2以上者。39.如申请专利范围第37项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液的温度,较该液晶高分子前驱体相溶液热相分离温度高出约3~15℃,而紫外线照射强度为160mW/cm2以上,且在400mW/cm2以下者。40.如申请专利范围第37项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该液晶高分子前驱体相溶液,系包含单官能基丙烯酸酯及/或多官能基丙烯酸酯者。41.如申请专利范围第37项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该单官能基丙烯酸酯系为异硬脂丙烯酸酯,而该多官能基丙烯酸则指由三乙二醇二丙烯酸酯、PEG#200二丙烯酸酯、PEG#400二丙烯酸酯、新戊烷醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、及下列化学式1所示2官能基胺酯丙烯酸酯等之中,选择一种以上者,化学式1CH2=CHCOO-R'-OOCNH-(R-NHCOO-(聚醇)-OOCNH)n-R-NHCOO-R)=CH2其中n系整数。42.一种液晶显示元件,系液晶滴在含有高分子化合物所构成基质连续相中维持分散、或液晶滴在含有高分子化合物所构成三维网状基质的网孔内维持分散所形成的高分子分散型液晶,并于其内侧面分别夹设一对具有电极的基板的高分子分散型液晶显示元件,其特征在于,该高分子分散型液晶显示元件,当元件的静电容量比率如下式定义时,在元件穿透率为10%以上之电压下,该静电容量比率在60%以上者,静电容量比率=(外加任意电压于元件时的静电容量/外加电压之最大静电容量)100。43.如申请专利范围第42项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该最大外加电压为10V以上者。44.一种高分子分散型液晶显示元件,系液晶滴在含有高分子化合物所构成基质连续相中维持分散、或液晶滴在含有高分子化合物所构成三维网状基质的网孔内维持分散所形成的高分子分散液晶,并于其内侧面分别夹设一对具有电极的基板的高分子分散型液晶显示元件,其特征在于,当以电压一静电容量特性之任意外加电压V的中昇电压过程的静电容量作为C1.降电压过程的静电容量作为C2.最大外加电压时的静电容量作为Cmax时,该高分子分散型液晶显示元件在使用温度范围下之静电容量延滞Chys定义为Chys=(C2-C1)/Cmax时,在任意外加电压V下,该Chys为1.5%以下者。45.如申请专利范围第44项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该最大外加电压为10V以上者。46.如申请专利范围第44项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该Chys维持在高分子分散型液晶显示元件的使用温度为0℃以上者。47.一种高分子分散型液晶显示元件,系液晶滴在含有高分子化合物所构成基质连续相中维持分散、或液晶滴在含有高分子化合物所构成三维网状基质的网孔内维持分散所形成的高分子分散液晶,并于其内侧面分别夹设一对具有电极的基板的高分子分散型液晶显示元件,其特征在于,当以电压.穿透率特性之任意外加电压V中的昇电压过程之穿透光强度P1.降电压过程之穿透光强度作为P2.最大外加电压时的穿透光强度为作为Pmax时,该高分子分散型液晶显示元件在使用温度范围下的光学延滞Thys定义为Thys=(P2-P1)/Pmax),且以电压-静电容量特性之任意外加电压V中的昇电压过程的静电容量作为C1.降电压过程的静电容量作为C2.最大外加电压时的静电容量作为Cmax、该高分子分散型液晶显示元件在使用温度范围下的静电容量延滞Chys定义为Chys=(C2-C1)/Cmax时,在使该Thys具有最大値的外加电压下,该Chys値为0.6%以下者。48.如申请专利范围第47项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该最大外加电压为10V以上者。49.如申请专利范围第47项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该Thys赋予最大値的外加电压中,该Chys为0.6%以下之要件,乃维持在高分子分散型液晶显示元件的使用温度为0℃以上者。50.一种高分子分散型液晶显示元件,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物,而构成的高分子分散型液晶显示元件中,其特征在于:该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-1之关系者。LC-p<0……式4-151.如申请专利范围第50项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该液晶材料的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,更进一步具有下式4-2之关系者。-1.dyne/cm<LC-p……式4-252.如申请专利范围第51项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该高分子.液晶复合物在散射穿透特性中极限値敏感度値,在1.95~2.25范围内者。53.一种高分子分散型液晶显示元件,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物,而构成的高分子分散型液晶显示元件中,其特征在于:该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-3之关系者。0<LC-p≦1.dyne/cm……式4-354.如申请专利范围第50.51.52.或53项中任一项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该绝缘膜系由聚氨基酸、聚氨基酸衍生物、或蛋白质所组成者。55.一种高分子分散型液晶显示元件,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物,而构成的高分子分散型液晶显示元件中,其特征在于:该液晶材料的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-4之关系者。p>LC…… 式4-456.如申请专利范围第55项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该高分子化合物系由聚合性单体与聚合性寡聚合物进行聚合,且该聚合性单体与聚合性寡聚合物,其中至少一者具有极性基者。57.如申请专利范围第56项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。58.如申请专利范围第55~57项中任一项之高分子分散型液晶显示元件,其中,在该显示元件实际运作时的温度范围(-10℃~60℃)下,该p与LC具有下式4-4之关系者。p>LC……式4-459.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系包括有:填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物,填充于支撑基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中的高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散有液晶粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p >LC……式4-4式中,p系指高分子化合物的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。60.如申请专利范围第59项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。61.如申请专利范围第60项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。62.如申请专利范围第59~61项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。63.如申请专利范围第50~54项中任一项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该液晶材料的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,系满足下式4-4之关系者。p>LC……式4-464.如申请专利范围第63项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该高分子化合物系由聚合性单体与聚合性寡聚合物进行聚合,且该聚合性单体与聚合性寡聚合物,其中至少一者具有极性基者。65.如申请专利范围第64项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。66.如申请专利范围第64或65项中任一项之高分子分散型液晶显示元件,其中,在该显示元件实际运作时的温度范围(-10℃~60℃)下,该p与LC具有下式4-4之关系者。p>LC……式4-467.如申请专利范围第63项之高分子分散型液晶显示元件,其中,在该显示元件实际运作时的温度范围(-10℃~60℃)下,该p与LC具有下式4-4之关系者。p >LC……式4-468.如申请专利范围第54项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该液晶材料的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,系满足下式4-4之关系者。p >LC……式4-469.如申请专利范围第68项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该高分子化合物系由聚合性单体与聚合性寡聚合物进行聚合,且该聚合性单体与聚合性寡聚合物,其中至少一者具有极性基者。70.如申请专利范围第69项之高分子分散型液晶显示元件,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。71.如申请专利范围第68~70项中任一项之高分子分散型液晶显示元件,其中,在该显示元件实际运作时的温度范围(-10℃~60℃)下,该p与LC具有下式4-4之关系者。p >LC……式4-472.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散有液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-1之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:LC-p <0……式4-1填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物,填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中的高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散液晶有粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。73.如申请专利范围第72项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。74.如申请专利范围第73项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。75.如申请专利范围第72~74项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。76.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-2之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:-1.dyne/cm<LC-p……式4-2填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物,填充于一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉者聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中的高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散有液晶粒之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。77.如申请专利范围第76项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。78.如申请专利范围第77项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。79.如申请专利范围第76~78项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。80.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-1之关系,同时该高分子.液晶复合物在散射穿透特性中极限値敏感度値在1.95~2.25范围内的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:LC-p<0……式4-1填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物,填充于一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物申高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散液晶粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。81.如申请专利范围第80项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。82.如申请专利范围第81项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。83.如申请专利范围第80~82项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。84.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-3之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:0<LC-p<1.dyne/cm…式4-3填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中的高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散有液晶粒之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。85.如申请专利范围第84项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。86.如申请专利范围第85项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。87.如申请专利范围第84~86项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。88.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆由聚氨基酸、聚氨基酸衍生物或蛋白质所形成之绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-1之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:LC-p<0……式4-1填充步骤,系将液晶与高分子前驱体.液晶混合物,填充于支撑基板上且被覆绝缘膜的依对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体.液晶混合物系包含有依聚合而产生与液晶具有式4-4关系之高分子化合物的高分子前驱体;成形步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。89.如申请专利范围第88项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。90.如申请专利范围第89项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。91.如申请专利范围第88~90项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。92.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆由聚氨基酸、聚氨基酸衍生物或蛋白质所形成之绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶材料之滴滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶材料的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-2之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:-1.dyne/cm<LC-p……式4-2填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散液晶粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。93.如申请专利范围第92项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。94.如申请专利范围第93项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。95.如申请专利范围第92~94项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。96.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆由聚氨基酸、聚氨基酸衍生物或蛋白质所形成之绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-1之关系,同时该高分子.液晶复合物在散射穿透特性中极限値敏感度値在1.95~2.25范围内的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:LC-p<0……式4-1填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散液晶粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。97.如申请专利范围第96项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。98.如申请专利范围第97项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。99.如申请专利范围第96~98项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。100.一种高分子分散型液晶显示元件的制造方法,系在支撑于基板上且被覆由聚氨基酸、聚氨基酸衍生物或蛋白质所形成之绝缘膜的一对电极之间,填充由高分子化合物中分散液晶之粒滴所形成的高分子.液晶复合物所构成,且该液晶的表面张力LC与该绝缘膜的临界表面张力p,具有下式4-3之关系的高分子分散型液晶显示元件的制造方法中,系包含有:0<LC-p <1.dyne/cm…式4-3填充步骤,系将含有液晶与高分子前驱体之高分子前驱体.液晶混合物填充于上述一对电极之间的填充步骤,其中,该高分子前驱体系可藉由依聚合而生成与液晶具有式4-4关系之高分子化合物者;成形步骤,系将填充后该高分子前驱体.液晶混合物中高分子前驱体进行聚合,而产生符合式4-4关系的高分子化合物,并形成在所生成的高分子化合物中,分散液晶粒滴之高分子.液晶复合物的高分子.液晶复合物成形步骤,p>LC……式4-4式中,p系指绝缘膜的临界表面张力,而LC系指液晶的表面张力。101.如申请专利范围第100项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该填充步骤与该高分子.液晶复合物成形步骤中,所处理的高分子前驱体,系由聚合性单体与聚合性寡聚合物所组成,该聚合性单体与聚合性寡聚合物至少其中一者具有极性基者。102.如申请专利范围第101项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该极性基系指由羟基、羧酸基、或亚胺基等中至少选择一种以上所组成者。103.如申请专利范围第100~102项中任一项之高分子分散型液晶显示元件的制造方法,其中,该高分子.液晶复合物成形步骤中的聚合方法,系利用紫外线照射配置于一对基板间的高分子.液晶复合物。图式简单说明:第一组发明第1图系相关第一组发明的光学延滞的说明图。第2图系相关第一组发明的聚合速度与液晶滴形成状况示意模式图。第3图系相关第一组发明的液晶滴产生密度与液晶滴形成状况示意模式图。第4图系相关第一组发明的紫外线照射时间关系与静电容量的测试图。第5图系相关第一组发明的聚合温度与光学延滞关系说明图。第6图系相关第一组发明的聚合温度条件与光学延滞关系图。第7图系相关第一组发明的聚合温度条件与聚合速度关系图。第8图系相关第一组发明的紫外线强度与光学延滞关系图。第9图系相关第一组发明的时间T2与光学延滞关系图。第10图系相关第一组发明的液晶显示元件颇面示意图。第11图系相关第一组发明的实验设备示意图。第12图系相关第一组发明的紫外线强度与显示最小光学延滞之聚合温度间关系图。第13图系相关第一组发明的时间T1与光学延滞关系图示。第14图系相关第一组发明的时间T1与时间T2的关联关系图示。第二组发明第15图系相关实施例2-1中液晶显示元件的剖面图。第16图系相关实施例2-1液晶显示元件中,利用显微镜所观察液晶滴状态说明图。第17图系相关实施例2-1液晶显示元件中,液晶分子定向型态说明图示。第18图系相关实施例2-1液晶显示元件的外加电压-穿透率特性关系图。第19图系相关实施例2-2中液晶显示元件的剖面图。第20图系固定指数与定向移转温度之关系图。第21图系液晶显示元件的制造设备模式图。第三组发明第22图系第三组发明中,电压一静电容量特性与电压-穿透率特性之测试结果图示。第23图系第三组发明中,静电容量延滞及光学延滞之测试结果图示。第24图系第三组发明中,静电容量延滞及光学延滞之关系图之一。第25图系第三组发明中,静电容量延滞及光学延滞之关系图之二。第26图系第三组发明中,液晶显示元件构造剖面示意图。第27图系第三组发明中,光学延滞与静电容量比率%关系图。第四组发明第28图系相关第四组发明的液晶显示元件主要部分的剖面概略示意图。第29图系第四组发明中,LC-p计算値及値与感应时间之关系图。第30图系第四组发明中,値与感应时间之关系图。第31图系第四组发明中,LC-p计算値与V之关系图。第32图系相关第四组发明的高分子分散型液晶显示元件之剖面概略示意图。第33图系第四组发明中,实施例2-1之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第34图系第四组发明中,实施例2-2之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第35图系第四组发明中,实施例2-3之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第36图系第四组发明中,实施例2-4之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第37图系第四组发明中,实施例2-5之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第38图系第四组发明中,实施例2-6之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第39图系第四组发明中,相对实施例2-1~6,比较例1之液晶显示元件温度与V90%的关系图。第40图系第四组发明中,说明使用高分子分散型液晶的液晶显示元件之显示原理的剖面示意图。第41图系第四组发明中,放射型定向与双极型定向之示意图。
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