| 主权项 |
1.一种半导体装置,在半导体基板上形成具有源极.汲极层之电晶体而构成的半导体装置中,其特征为:在前述源极.汲极层分别配置了数列用以接触连接下层与上层的接触部。2.一种半导体装置,在半导体基板上形成具有源极.汲极层之第1电晶体及第2电晶体而构成的半导体装置中,其特征为:前述第1电晶体及前述第2电晶体中为了接触连接下层及上层而分别配置于前述源极.汲极层之接触部的形成个数系不相同。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,在前述第1电晶体中,用以接触连接下层与上层的接触部系配置为一列,而在前述第2电晶体中,用以接触连接下层与上层的接触部则配置成数列。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,具有源极.汲极层,使前述第2电晶体与闸极邻接,而在该闸极下方,则形成了组成通道的半导体层。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,在前述第2电晶体的闸极下方,形成与该源极.汲极层属于同一导电型的低浓度层以连接前述源极.汲极层并邻接前述半导体层。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,在前述第2电晶体的闸极下方,有与该源极.汲极层属于同一导电型的低浓度层,在前述半导体的表层扩张并形成浅浅的一层,以连接前述源极.汲极层,并与前述半导体层相接。7.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其中在前述接触部中,埋入一层具有导电性的膜。8.一种半导体装置,系具备:形成于一导电型半导体内的低浓度的逆导电型源极.汲极层;形成于前述低浓度的逆导电型源极.汲极层内的高浓度逆导电型源极.汲极层;透过闸极氧化膜而形成于前述半导体上之闸极;配置成多列,以接触前述源极.汲极层之接触部;以及透过前述接触部接触连接前述源极.汲极层之源极.汲极。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,在前述闸极下方形成了组成位于前述源极.汲极层间之通道的一导电型半导体层。10.一种半导体装置的制造方法,系在半导体基板上形成具有源极.汲极层之电晶体而构成半导体装置的制造方法中,其特征为:在前述源极.汲极层分别形成数列用以接触连接下层与上层的接触部。11.一种半导体装置的制造方法,系在半导体基板上形成具有源极.汲极层之第1电晶体及第2电晶体而构成半导体装置的制造方法中,其特征为:前述第1电晶体及第2电晶体中,为了接触连接下层及上层而以分别配置于前述源极.汲极层之接触部的形成个数系不相同的方式形成。12.如申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其中,在前述第1电晶体中,用以接触连接下层与上层的接触部系配置为一列,而在前述第2电晶体中,用以接触连接下层与上层的接触部则配置成数列。13.一种半导体装置的制造方法,系在一导电型的半导体上,透过闸极氧化膜形成闸极而构成半导体装置的制造方法中,具备有:在前述半导体内将逆导电型杂质以离子植入,而形成低浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;将逆导电型杂质以离子植入的方式,在前述低浓度之逆导电型源极.汲极层内,形成高浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;以及透过被覆前述闸极的层间绝缘膜,形成数列用以与前述源极.汲极层接触连接的接触部的步骤。14.一种半导体装置的制造方法,系在一导电型的半导体上,透过闸极氧化膜形成闸极而构成半导体装置的制造方法中,具备有:在前述半导体内将逆导电型杂质以离子植入,而形成低浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;藉由将逆导电型杂质以离子植入的方式,形成与前述低浓度的逆导电型源极.汲极层相连接的低浓度逆导电型层的步骤;将逆导电型杂质以离子植入的方式,在前述低浓度之逆导电型源极.汲极层内,形成高浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;将一导电型杂质以离子植入,并在前述闸极的下方,形成分隔前述逆导电型层的一导电型本体层的步骤;以及透过被覆前述闸极的层间绝缘膜,形成数列用以与前述源极.汲极层接触连接的接触部的步骤。15.如申请专利范围第10项、第13项、第14项中任一项之半导体装置的制造方法,其中,系在前述接触部中,埋入一层具有导电性的膜。16.一种半导体装置,其特征为:在构成焊垫部的凸块电极下方并不形成开口部。17.一种半导体装置,系透过形成于被覆下层配线之层间绝缘膜的开口部,以接触连接上层配线而构成的半导体装置中,其特征为:前述开口部,系形成于构成焊垫部的凸块电极下方以外的区域。18.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中,在前述凸块电极的下方,配置有下层配线。19.一种半导体装置,系具备:透过闸极氧化膜形成于半导体基板上之闸极;用以邻接前述闸极而形成之源极.汲极层;接触连接前述源极.汲极层之下层配线;形成于被覆前述下层配线之层间绝缘膜,且形成于焊垫部下方以外的区域的开口部;透过前述开口部接触连接前述下层配线的上层配线。20.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中,在前述闸极下方形成有组成通道的半导体层。21.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中,在前述闸极下方,形成有与该源极.汲极层属于同一导电型的低浓度层以连接前述源极.汲极并邻接前述半导体层。22.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中,在前述闸极下方,有与该源极.汲极层属于同一导电型的低浓度层在前述半导体的表层扩张形成浅浅的一层,以连接前述源极.汲极层,并与前述半导体层相接。23.一种半导体装置的制造方法,其特征为:在构成焊垫部的凸块电极下方并不形成开口部。24.一种半导体装置的制造方法,系透过形成于被覆下层配线的层间绝缘膜的开口部,以接触连接上层配线,而构成半导体装置的制造方法中,具备有:形成层间绝缘膜以被覆前述下层配线的步骤;以及在前述层间绝缘膜的焊垫形成部以外的区域形成开口部后,再透过该开口部,形成前述上层配线以接触前述下层配线的步骤。25.如申请专利范围第23项之半导体装置的制造方法,其中,系于前述焊垫部的下方形成下层配线。26.一种半导体装置的制造方法,系透过闸极氧化膜,而于一导电型半导体上形成闸极而构成半导体装置的制造方法中,具备有:在前述半导体内将逆导电型杂质以离子植入,而形成低浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;将逆导电型杂质以离子植入的方式,在前述低浓度之逆导电型源极.汲极层内,形成高浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;透过被覆前述闸极的层间绝缘膜,形成与前述源极.汲极层接触连接的下层配线的步骤;在形成层间绝缘膜以被覆前述下层配线之后,于该层间绝缘膜的焊垫部下方以外的区域形成开口部的步骤;以及透过前述开口部,形成与前述下层配线接触连接的上层配线的步骤。27.一种半导体装置的制造方法,系透过闸极氧化膜,而于一导电型半导体上形成闸极而构成半导体装置的制造方法中,具备有:在前述半导体内将逆导电型杂质以离子植入,而形成低浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;藉由将逆导电型杂质以离子植入的方式,形成与前述低浓度的逆导电型源极.汲极层相连接的低浓度逆导电型层的步骤;藉由将逆导电型杂质以离子植入的方式,在前述低浓度之逆导电型源极.汲极层内形成高浓度的逆导电型源极.汲极层的步骤;藉由离子植入一导电型杂质,而于前述闸极的下方,形成分隔前述逆导电型层的一导电型本体层的步骤;透过被覆前述闸极的层间绝缘膜,形成与前述源极.汲极层接触连接的下层配线的步骤;在形成层间绝缘膜以被覆前述下层配线之后,于该层间绝缘膜的焊垫部下方以外的区域形成开口部的步骤;以及透过前述开口部,形成与前述下层配线接触连接的上层配线的步骤。图式简单说明:[第1图]第1A图及第1B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第2图]第2A图及第2B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第3图]第3A图及第3B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第4图]第4A图及第4B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第5图]第5A图及第5B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第6图]第6A图及第6B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第7图]第7A图及第7B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第8图]第8A图及第8B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第9图]第9A图及第9B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第10图]第10A图及第10B图,系显示本发明半导体装置的制造方法之剖面图。[第11A至C图]第11图系显示本发明第一实施形态的半导体装置之制造方法之剖面图。[第12图]第12图系显示本发明第一实施形态的半导体装置之制造方法之平面图。[第13图]第13图系显示本发明第二实施形态的半导体装置之制造方法之剖面图。[第14图]第14图系显示先前的半导体装置之制造方法之剖面图。[第15图]第15图系显示先前的半导体装置之制造方法之剖面图。[第16图]第16图系显示先前的半导体装置之制造方法之平面图。 |
