| 主权项 |
1.一种离子布植系统,至少包括:一离子布植室;一抑制环(suppressor ring),设置于该离子布植室之前,用以抑制一二次电子进入该离子布植室,该抑制环包括:一抑制环本体,具有一开口及一背向该离子布植室之背面部,该开口用以使一离子束可进入该离子布植室;一连结件,与该背面部耦接;及一绝缘件,与该连结件耦接;以及一设置部,该抑制环系透过该绝缘件与该设置部耦接,使该抑制环可设置于该离子布植室之前。2.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该连结件系一柱螺栓(stud-bolt)。3.如申请专利范围第2项所述之离子布植系统,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该背面部系具有一第一螺丝孔,该绝缘件系具有一第二螺丝孔,该柱螺栓系以该第一端部锁入该第一螺丝孔的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该第二螺丝孔被该第二端部锁入的方式与该柱螺栓耦接。4.如申请专利范围第2项所述之离子布植系统,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该背面部系具有一螺丝孔,该绝缘件系具有一套孔,该柱螺栓系以该第一端部锁入该螺丝孔的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该套孔将该第二端部套接于该绝缘件内的方式与该柱螺栓耦接。5.如申请专利范围第2项所述之离子布植系统,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该绝缘件系具有一螺丝孔,该柱螺栓系以该第一端部焊接于该背面部的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该螺丝孔被该第二端部锁入的方式与该柱螺栓耦接。6.如申请专利范围第2项所述之离子布植系统,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该绝缘件系具有一套孔,该柱螺栓系以该第一端部焊接于该背面部的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该套孔套接该第二端部的方式与该柱螺栓耦接。7.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该绝缘件与该设置部系以螺接之方式耦接。8.如申请专利范围第1项所述之离子布植系统,其中该绝缘件与该设置部系以胶接之方式耦接。9.一种抑制环,适于使用在一离子布植系统中以抑制一二次电子进入一离子布植室,该抑制环系透过一设置部设置于该离子布植室之前,该抑制环至少包括:一抑制环本体,具有一开口及一背向该离子布植室之背面部,该开口用以使一离子束可进入该离子布植室;一连结件,与该背面部耦接;以及一绝缘件,与该连结件耦接,该抑制环系透过该绝缘件与该设置部耦接,使该抑制环可设置于该离子布植室之前。10.如申请专利范围第9项所述之抑制环,其中该连结件系一柱螺栓。11.如申请专利范围第10项所述之抑制环,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该背面部系具有一第一螺丝孔,该绝缘件系具有一第二螺丝孔,该柱螺栓系以该第一端部锁入该第一螺丝孔的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该第二螺丝孔被该第二端部锁入的方式与该柱螺栓耦接。12.如申请专利范围第10项所述之抑制环,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该背面部系具有一螺丝孔,该绝缘件系具有一套孔,该柱螺栓系以该第一端部锁入该螺丝孔的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该套孔套接该第二端部的方式与该柱螺栓耦接。13.如申请专利范围第10项所述之抑制环,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该绝缘件系具有一螺丝孔,该柱螺栓系以该第一端部焊接于该背面部的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该螺丝孔被该第二端部锁入的方式与该柱螺栓耦接。14.如申请专利范围第10项所述之抑制环,其中该柱螺栓系具有一第一端部及一第二端部,该绝缘件系具有一套孔,该柱螺栓系以该第一端部焊接于该背面部的方式与该背面部耦接,该绝缘件系以该套孔套接该第二端部的方式与该柱螺栓耦接。15.如申请专利范围第9项所述之抑制环,其中该绝缘件与该设置部系以螺接之方式耦接。16.如申请专利范围第9项所述之抑制环,其中该绝缘件与该设置部系以胶接之方式耦接。图式简单说明:第1图绘示乃离子布植方式之示意图。第2图绘示乃传统之离子布植系统之示意图。第3A图绘示乃传统之离子布植系统中抑制环本体之前视图。第3B图绘示乃传统抑制环之分解示意图。第4图绘示乃依照本发明之较佳实施例之离子布植系统之示意图。第5图绘示乃本发明之抑制环的分解示意图。 |
