| 主权项 |
1.一种调整记忆体单元临界电压之方法,包括:对一薄膜施加能量,该薄膜由能够改变临界电压的材料构成。2.如申请专利范围第1所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加电脉冲。3.如申请专利范围第2所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电压脉冲。4.如申请专利范围第3所述的方法,其特征在于,所述电压脉冲有一预定的大小,有一预定的形状,并且被施加于一预定的期间。5.如申请专利范围第2所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电流脉冲。6.如申请专利范围第5所述的方法,其特征在于,所述电流脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。7.如申请专利范围第1所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加光脉冲。8.如申请专利范围第7所述的方法,其特征在于,所述光脉冲为雷射脉冲。9.如申请专利范围第8所述的方法,其特征在于,所述雷射脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。10.如申请专利范围第1所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加热脉冲。11.如申请专利范围第10所述的方法,其特征在于,所述热脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定期间。12.如申请专利范围第1所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加微波脉冲。13.如申请专利范围第12所述的方法,其特征在于,所述微波脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。14.一种调整记忆体单元临界电压之方法,其特征在于包括:对由硫族化物构成的薄膜施加能量。15.如申请专利范围第14所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加电脉冲。16.如申请专利范围第15所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电压脉冲。17.如申请专利范围第16所述的方法,其特征在于,所述电压脉冲有一预定的大小,有一预定的形状,并且被施加于一预定的期间。18.如申请专利范围第15所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电流脉冲。19.如申请专利范围第18所述的方法,其特征在于,所述电流脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。20.如申请专利范围第14所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加光脉冲。21.如申请专利范围第20所述的方法,其特征在于,所述光脉冲为雷射脉径。22.如申请专利范围第21所述的方法,其特征在于,所述雷射脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。23.如申请专利范围第14所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加热脉冲。24.如申请专利范围第23所述的方法,其特征在于,所述热脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。25.如申请专利范围第14所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该薄膜施加微波脉冲。26.如申请专利范围第25所述的方法,其特征在于,所述微波脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。27.一种调整硫族化物材料的临界电压的方法,其特征在于,包括:对硫族化物材料施加能量。28.如申请专利范围第27所述的方法,其特征在于,施加能量包括:对硫族化物材料施加电脉冲。29.如申请专利范围第28所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电压脉冲。30.如申请专利范围第29所述的方法,其特征在于,所述电压脉冲有一预定的大小,有一预定的形状,并且被施加于一预定的期间。31.如申请专利范围第28所述的方法,其特征在于,所述电脉冲为电流脉冲。32.如申请专利范围第31所述的方法,其特征在于,所述电流脉冲有一预定的大小,有一预定的形状,并且被施加于一预定的期间。33.如申请专利范围第27所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该硫族化物材料施加光脉冲。34.如申请专利范围第33所述的方法,其特征在于,所述光脉冲为雷射脉冲。35.如申请专利范围第34所述的方法,其特征在于,所述雷射脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。36.如申请专利范围第27所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该硫族化物材料施加热脉冲。37.如申请专利范围第36所述的方法,其特征在于,所述热脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。38.如申请专利范围第27所述的方法,其特征在于,施加能量的方法包括:对该硫族化物材料施加微波脉冲。39.如申请专利范围第38所述的方法,其特征在于,所述微波脉冲有一预定的大小,有预定的形状,并且被施加于一预定的期间。图式简单说明:第1图所示为硫族化物记忆体单元的I-V曲线。第2图所示为在不同脉冲宽度,Vth相对于脉冲电压的曲线图。第3图所示为对硫族化物记忆体单元施加电脉冲的示意图。第4图所示为一个能量脉冲的期间(持续时间)(或形状)之例示图。第5图所示为对硫族化物记忆体单元施加光脉冲的示意图。第6图所示为对硫族化物记忆体单元施加热脉冲的示意图。第7图所示为记忆体单元结构的截面图,图中示出了实现Vth为可变的材料之Vth的调整方法。 |
