| 主权项 |
1.一种半导体装置,系在半导体基板上形成有双极性电晶体者,其特征在于:在上述半导体基板上形成有集极区域,在上述半导体基板表面之上述集极区域上形成有具第1开口之第1绝缘层,基极半导体层系透过上述第1开口与上述集极区域相接而形成,该基极半导体层系以其端缘延伸在上述第1绝缘层上的方式跨越第1绝缘层而形成,在上述基极半导体层的特定区域上形成有射极半导体层,在上述第1绝缘层上形成有:覆盖上述基极半导体层的端缘而形成之第2绝缘层,以及相对上述基极半导体层使射极半导体层的接触部开放之第2开口,以及使上述基极半导体层的基极取出部开放的第3开口,在上述第3开口内的上述基极半导体层表面上形成有金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在上述射极半导体层表面上形成有金属矽化物层。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在上述半导体基板上形成有集极取出区域,在该基极取出区域上的上述第1及第2绝缘层上形成有第4开口,在面临该第4开口内的上述集极取出区域表面上形成有金属矽化物层。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在上述半导体基板上形成有上述双极性电晶体与其他半导体电路元件,上述金属矽化物层亦形成于上述其他半导体电路元件的电极取出部。5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中上述其他半导体电路元件为电容元件、电阻元件、互补型场效电晶体、具有源自选择性扩散的基极之电晶体中之至少一者。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述基极半导体层系以SiGe层构成。7.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置系在半导体基板上形成有双极性电晶体,并形成有金属矽化物层者,其特征在于具有以下步骤:在上述半导体基板上形成集极区域之步骤;在上述半导体基板表面形成第1绝缘层之步骤;在该第1绝缘层的上述集极区域上形成第1开口的步骤;透过该第1开口与上述集极区域相接,形成跨接在上述第1绝缘层上的基极半导体层之步骤;在上述第1绝缘层及上述基极半导体层上形成第2绝缘层之步骤;在该第2绝缘层的上述基极半导体层上的射极区域之形成部上形成第2开口的步骤;透过该第2开口与上述基极半导体层相接,形成跨接在上述第2绝缘层上的射极半导体层之步骤;残留上述第2绝缘层的覆盖上述基极半导体层的端缘之部分,在基极取出区域上形成第3开口之步骤;以及在上述射极区域表面与通过上述第3开口所露出的上述基极半导体层表面上形成金属矽化物层之步骤。8.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置系在半导体基板上形成有双极性电晶体,并形成有金属矽化物层者,其特征在于具有以下步骤:在上述半导体基板形成集极区域之步骤;形成集极取出区域之步骤;在上述半导体基板表面形成第1绝缘层之步骤;在该第1绝缘层的上述集极区域上形成第1开口的步骤;透过该第1开口与上述集极区域相接,形成跨接在上述第1绝缘层上的基极半导体层之步骤;在上述第1绝缘层及上述基极半导体层上形成第2绝缘层之步骤;在该第2绝缘层的上述基极半导体层上的射极区域之形成部形成第2开口的步骤;形成具有包含透过该第2开口与上述基极半导体层相接,最后形成跨接在上述第2绝缘层上的射极半导体层的大小之面积,且较在上述基极半导体层最后形成金属矽化物层之区域的外缘部位限定于偏内侧之射极半导体层之步骤;残留上述第2绝缘层的覆盖上述基极半导体层的端缘之部分,在上述基极取出区域上与上述集极取出区域上形成第3开口以及第4开口之步骤;以及在上述射极区域表面与通过上述第3开口及第4开口所露出的上述基极半导体层表面以及上述集极取出区域上,形成金属矽化物层之步骤。9.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置系在半导体基板上形成有双极性电晶体,并形成有金属矽化物层者,其特征在于具有以下步骤:在上述半导体基板形成集极区域之步骤;形成集极电极取出区域之步骤;在上述半导体基板表面形成第1绝缘层之步骤;在该第1绝缘层的上述集极区域上形成第1开口的步骤;形成透过该第1开口与上述集极区域相接,且跨接在上述第1绝缘层上的基极半导体层之步骤;在上述第1绝缘层及上述基极半导体层上形成第2绝缘层之步骤;在该第2绝缘层的上述基极半导体层上的射极区域之形成部形成第2开口的步骤;形成具有包含透过该第2开口与上述基极半导体层相接,最后形成跨接在上述第2绝缘层上的射极半导体层的大小之面积,且在较在上述基极半导体层最终形成金属矽化物层之区域的外缘部位偏内侧之特定区域的射极半导体层之步骤;上述第2绝缘层的上述基极取出区域上与上述集极取出区域上形成第3开口以及第4开口之步骤;以及在上述射极区域表面与通过上述第3开口及第4开口所露出的上述基极半导体层表面以及上述集极取出区域上,形成金属矽化物层之步骤。10.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置的制造方法,其中射极半导体层系至少在最后形成的射极区域形成部中导入杂质所构成。11.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置的制造方法,其中上述射极半导体层系在该射极半导体层成膜时,由掺杂有杂质的半导体层所构成。12.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置的制造方法,其系具有上述双极性电晶体之制造方法;在上述半导体基板上形成有上述双极性电晶体与其他半导体电路元件,使该其他半导体电路元件至少一部份的构成部与上述双极性电晶体的上述步骤至少一部份共通地形成。13.如申请专利范围第10项之半导体装置的制造方法,其系具有上述双极性电晶体之制造方法;在上述半导体基板上形成有上述双极性电晶体与其他半导体电路元件,使该其他半导体电路元件至少一部份的构成部与上述双极性电晶体的上述步骤至少一部份共通地形成。14.如申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其系具有上述双极性电晶体之制造方法;在上述半导体基板上形成有上述双极性电晶体与其他半导体电路元件,使该其他半导体电路元件至少一部份的构成部与上述双极性电晶体的上述步骤至少一部份共通地形成。15.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为电容元件、电阻元件、互补型场效电晶体、具有源自选择性扩散的基极的电晶体中之至少一者。16.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为电容元件、电阻元件、互补型场效电晶体、具有源自选择性扩散的基极的电晶体中之至少一者。17.如申请专利范围第14项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为电容元件、电阻元件、互补型场效电晶体、具有源自选择性扩散的基极的电晶体中之至少一者。18.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为上述互补型场效电晶体,该互补型场效电晶体之至少一方的源极及汲极区域,与上述汲极取出区域同时形成。19.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为上述互补型场效电晶体,该互补型场效电晶体之至少一方的源极及汲极区域,与上述汲极取出区域同时形成。20.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造方法,其中上述其他半导体电路元件为上述互补型场效电晶体,该互补型场效电晶体之至少一方的源极及汲极区域,与上述汲极取出区域同时形成。21.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置的制造方法,其中在射极半导体层之形成步骤后,具有于该射极半导体层上阻止该射极半导体层之金属矽化的阻止膜之形成步骤。22.如申请专利范围第7.8或9项之半导体装置的制造方法,其中上述基极半导体层系以SiGe层构成。图式简单说明:图1系半导体装置之一例的主要部分剖视图。图2A及B系本发明半导体装置的制造方法一例的各步骤概略剖视图。图3A及B系本发明半导体装置的制造方法一例的各步骤概略剖视图。图4A及B系本发明半导体装置的制造方法一例的各步骤概略剖视图。图5A及B系本发明半导体装置的制造方法一例的各步骤概略剖视图。图6系本发明半导体装置的制造方法其他例的一步骤概略剖视图。图7A及B系本发明半导体装置的制造方法之另一例的各步骤概略剖视图。图8A及B系本发明半导体装置的制造方法之另一例的各步骤概略剖视图。图9系半导体装置其他例的概略剖视图。图10系本发明半导体装置一例的其他电路元件之概略剖视图。图11系本发明半导体装置一例的其他电路元件之概略剖视图。图12系本发明半导体装置一例的其他电路元件之概略剖视图。图13系本发明半导体装置一例的其他电路元件之概略剖视图。图14系具有习知之双极性电晶体的半导体装置之制造步骤图。图15系具有习知之双极性电晶体的半导体装置之制造步骤图图16系具有习知之双极性电晶体的半导体装置之概略剖面图。 |
