| 主权项 |
1.一种可抵减透镜像差影响之微影方法,包括:提供一微影设备,其内配置有一第一光罩,该第一光罩上具有至少一第一长方形图案;提供一晶圆,并藉由该微影设备,对该晶圆施行一微影程序,其中该第一光罩沿平行于该第一长方形图案之短边方向移动,而该晶圆亦同步地沿平行于该第一光罩之移动方向移动,以转移该第一长方形图案于该晶圆上;替换该微影设备中之光罩为一第二光罩,且该第二光罩上具有至少一第二长方形图案;以及藉由该微影设备,施行一微影程序,其中该第二光罩沿平行于该第二长方形图案之短边方向移动,而该晶圆于旋转正负90度后,亦同步地沿平行于该第二光罩之移动方向移动,以转移该第二长方形图案于该晶圆上。2.如申请专利范围第1项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该微影设备为一扫描式步进机。3.如申请专利范围第1项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该第一长方形图案为一沟槽型电容之图案。4.如申请专利范围第1项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该第二长方形图案为一主动区域之图案。5.如申请专利范围第1项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该晶圆具有一定位标记以显示相对位置。6.如申请专利范围第5项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该定位标记系一缺角(notch)。7.如申请专利范围第5项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中于转移第一长方形图案的过程中,该晶圆之该定位标记系平行于该第一光罩之移动方向。8.如申请专利范围第5项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中于转移第二长方形图案的过程中,该晶圆之该定位标记系垂直于该第二光罩之移动方向。9.如申请专利范围第1项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该晶圆之移动方向与该第一光罩与第二光罩之移动方向为同向或反向。10.一种可抵减透镜像差影响之微影方法,包括:提供一微影设备,其内配置有一第一光罩,该第一光罩上具有至少一第一长方形图案之透光区;提供一晶圆,于该晶圆上至少涂布有一光阻层;藉由该微影设备,施行一微影程序,其中该第一光罩沿平行于该第一长方形图案之短边方向移动,而至少涂布有一光阻层之该晶圆亦同步地沿平行于该第一光罩之移动方向移动,以转移该第一长方形图案于该晶圆上;施行一显影程序及蚀刻程序,以于该晶圆上形成一转移后之第一图案,而该第一图案具有一长轴方向与一短轴方向,其中该长轴方向垂直于该晶圆之移动方向;替换该微影设备中之一光罩为一第二光罩,且该第二光罩上具有至少一第二长方形图案之透光区;提供一具有该第一图案之晶圆,且该晶圆上至少涂布一光阻层;藉由该微影设备,施行一微影程序,其中该第二光罩沿平行于该第二长方形图案之短边方向移动,且具有该第一图案之晶圆于旋转正负90度后,亦同步地沿该第二光罩之同向或反向移动,以转移该第二长方形图案于该晶圆上;以及施行一显影程序及蚀刻程序,以于该晶圆上形成一转移后之第二图案并层叠(overlap)于先前之第一图案上,其中该第二图案亦具有一长轴方向与一短轴方向,而此长轴方向与先前该第一图案之短轴方向互为垂直。11.如申请专利范围第10项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该微影设备为一扫描式步进机。12.如申请专利范围第10项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该第一图案为一沟槽型电容图案。13.如申请专利范围第10项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该第二图案为一主动区域图案。14.如申请专利范围第10项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该晶圆具有一定位标记以显示相对位置。15.如申请专利范围第14项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中该定位标记系一缺角(notch)。16.如申请专利范围第14项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中于转移第一长方形图案的过程中,该晶圆之该定位标记系平行于该第一光罩之移动方向。17.如申请专利范围第14项所述可抵减透镜像差影响之微影方法,其中于转移第二长方形图案的过程中,该晶圆之该定位标记系垂直于该第二光罩之移动方向。图式简单说明:第1图系概要显示一种扫描式步进机(step-scanner);第2a~2d图系显示采用习知微影方法制备沟槽型动态随机存取记忆体(trench-type DRAM)之部份程序;第3a~3e图系显示采用本发明之微影方法制备沟槽型动态随机存取记忆体(trench-type DRAM)之部份程序;第4图系显示一微影效果之比较。 |
