| 主权项 |
1.一种制造显示用之基板之方法,包括下列步骤:用金属氧化物制备一靶材;及利用溅镀使用该靶材于一钝气及氮气之混合气体之气氛中在该基板表面上形成一金属氮氧化合物薄膜,调整该气氛中该钝气及氮气之混合比例致使该薄膜具有一期待表面电阻,其中该期待表面电阻是1.0x108至1.0x1012/,且该靶材由至少二种金属氧化物组成,其中一种是选自由钛或锆所组成之群组中之元素之氧化物,另一种是选自由铌、钒、钽、钇及钨所组成之群组中之元素之氧化物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该钝气在该气氛中之含量为5至95体积百分比。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该二种金属氧化物中之一种在靶材中之含量为70至99.5重量百分比。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该二种金属氧化物中之另一种在靶材中之含量为0.5至30重量百分比。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其进一步包括形成至少一抗移动离子热扩散薄膜之步骤,该抗移动离子热扩散薄膜系堆叠于该基板表面上所形成之该薄膜上。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该抗移动离子热扩散薄膜是由选自矽之氧化物、矽之氮氧化合物及矽之氮化物所构成之群组之化合物所组成。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该抗移动离子热扩散薄膜之总薄膜厚度为20至1000nm。8.一种显示用基板,其制造步骤系用金属氧化物制备一靶材,及利用溅镀使用该靶材于一钝气及氮气之混合气体之气氛中在该基板表面上形成一金属氮氧化合物薄膜,调整该气氛中该钝气及氮气之混合比例致使该薄膜具有一期待表面电阻,其中该期待表面电阻是1.0x108至1.0x1012/,且该靶材由至少二种金属氧化物组成,其中一种是选自由钛或锆所组成之群组中之元素之氧化物,另一种是选自由铌、钒、钽、钇及钨所组成之群组中之元素之氧化物。9.如申请专利范围第8项之显示用基板,其中该钝气在该气氛中之含量为5至95体积百分比。10.如申请专利范围第8或9项之显示用基板,其中该二种金属氧化物中之一种在靶材中之含量为70至99.5重量百分比。11.如申请专利范围第8或9项之显示用基板,其中该二种金属氧化物中之另一种在靶材中之含量为0.5至30重量百分比。12.一种如申请专利范围第8或9项之显示用基板,其进一步包括形成至少一抗移动离子热扩散薄膜之步骤,该抗移动离子热扩散薄膜系堆叠于该基板表面上所形成之该薄膜上。13.如申请专利范围第12项之显示用基板,其中该抗移动离子热扩散薄膜是由选自矽之氧化物、矽之氮氧化合物及矽之氮化物所构成之群组之化合物所组成。14.如申请专利范围第12项之显示用基板,其中该抗移动离子热扩散薄膜之总薄膜厚度为20至1000nm。图式简单说明:图1系本发明之具体实施例之具有显示用基板之平面型表面传导电子发射装置之剖面图;图2所示系图1中之薄膜11之剖面图;图3所示系实例1中之薄膜11之表面电阻;图4所示系比较例1中之薄膜11之表面电阻;图5所示系比较例2中之薄膜11之表面电阻;及图6所示系与实例1中之薄膜11完全相同但是具有不同薄膜厚度之薄膜11之表面电阻。 |
