发明名称 用以制造铋基氧化锌陶瓷系统之组合物,铋基氧化锌积层晶片型变阻器及降低铋基氧化锌陶瓷系统之烧结温度之方法
摘要 本发明关于一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统之组合物,其包含氧化锌粉末及添加剂,该添加剂包含氧化锑及氧化铋,且锑/铋的莫耳数比小于2.5。藉此,可将该陶瓷系统之烧结温度降低至1000℃以下,以利与作为内电极之纯银共烧,维持极优之电性特性。本发明亦关于一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统之组合物,其包含含量相对于该氧化锌粉末为0.01至10重量%之硼锌化合物,其方可达到同样降低陶瓷系统之烧结温度至1000℃的效果。
申请公布号 TW593205 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW092125495 申请日期 2003.09.16
申请人 国巨股份有限公司 发明人 李文熙;李英杰;黄国桢;苏哲仪;林世彬
分类号 C04B35/453 主分类号 C04B35/453
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统之组合物,其包含氧化锌粉末及添加剂,其中该氧化锌粉末之含量系至少90莫耳%,该添加剂之含量系至多10莫耳%,该添加剂包含氧化锑及氧化铋,且锑/铋的莫耳数比小于2.5。2.如申请专利范围第1项之组合物,其中锑/铋的莫耳数比小于2.0。3.如申请专利范围第1项之组合物,其中锑/铋的莫耳数比小于0.5。4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该氧化锌粉末的粒径系小于0.3m。5.如申请专利范围第4项之组合物,其中该氧化锌粉末的粒径系界于0.15至0.30m。6.如申请专利范围第1项之组合物,其中该添加剂进一步包含金属氧化物及其混合物,该金属氧化物之金属系选自铬(Cr)、锰(Mn)及钴(Co)。7.如申请专利范围第1项之组合物,其进一步包含0.001至1莫耳%的氢氧化铝。8.如申请专利范围第1项之组合物,其进一步包含硼锌化合物,其含量为相对于该氧化锌粉末之0.01至10重量%。9.如申请专利范围第8项之组合物,其中该硼锌化合物系为[(ZnO)4B2O3]。10.一种铋基氧化锌积层晶片型变阻器,其系包含如申请专利范围第1至9项中任一项之组合物。11.如申请专利范围第10项之变阻器,其包含可与该组合物于低温共烧之金属以作为内电极。12.如申请专利范围第11项之变阻器,其中该金属系为纯银。13.如申请专利范围第11项之变阻器,其中该纯银与该组合物之烧结温度系低于1000℃。14.如申请专利范围第13项之变阻器,其中该纯银与该组合物之烧结温度系低于900℃。15.一种降低铋基氧化锌陶瓷系统之烧结温度之方法,该铋基氧化锌陶瓷系统系由一组合物于低于1000℃之烧结温度烧结而成,该方法包括:(a)提供氧化锌粉末;及(b)添加添加剂至该氧化锌粉末中以形成该组合物,其中该添加剂之添加量系至多10莫耳%,该氧化锌粉末之含量系至少90莫耳%,该添加剂包含氧化锑及氧化铋,且锑/铋的莫耳数比小于2.5。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该锑/铋的莫耳数比小于2.0。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该锑/铋的莫耳数比小于0.5。18.如申请专利范围第15项之方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径系小于0.3m。19.如申请专利范围第18项之方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径系界于0.15至0.30m。20.如申请专利范围第15项之方法,其中该添加剂进一步包含金属氧化物及其混合物,该金属氧化物之金属系选自铬、锰及钴。21.如申请专利范围第15项之方法,进一步包括:(c)添加0.001至1莫耳%的氢氧化铝以形成该组合物。22.如申请专利范围第15项之方法,进一步包括:(c)添加硼锌化合物以形成该组合物,该硼锌化合物之含量为相对于该氧化锌粉末之0.01至10重量%。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该硼锌化合物系为[(ZnO)4B2O3]。24.一种用以制造铋基氧化锌陶瓷系统之组合物,其包含氧化锌粉末及添加剂,其中该氧化锌粉末之含量系至少90莫耳%,该添加剂之含量系至多10莫耳%,其特征为该组合物进一步包含硼锌化合物,该硼锌化合物之含量为相对于该氧化锌粉末之0.01至10重量%。25.如申请专利范围第24项之组合物,其中该添加剂包含氧化锑及氧化铋,且锑/铋的莫耳数比小于2.5。26.如申请专利范围第25项之组合物,其中锑/铋的莫耳数比小于2.0。27.如申请专利范围第26项之组合物,其中锑/铋的莫耳数比小于0.5。28.如申请专利范围第24项之组合物,其中该氧化锌粉末的粒径小于0.3m。29.如申请专利范围第28项之组合物,其中该氧化锌粉末的粒径系界于0.15至0.30m。30.如申请专利范围第24项之组合物,其中该添加剂进一步包含金属氧化物及其混合物,该金属氧化物之金属系选自铬、锰及钴。31.如申请专利范围第24项之组合物,进一步包含0.001至1莫耳%的氢氧化铝。32.如申请专利范围第24项之组合物,其中该硼锌化合物系为[(ZnO)4B2O3]。33.一种铋基氧化锌积层晶片型变阻器,其系包含如申请专利范围第24至32项中任一项之组合物。34.如申请专利范围第33项之变阻器,其包含可与该组合物于低温共烧之金属以作为内电极。35.如申请专利范围第34项之变阻器,其中该金属系为纯银。36.如申请专利范围第34项之变阻器,其中该纯银与该组合物之烧结温度系低于1000℃。37.如申请专利范围第36项之变阻器,其中该纯银与该组合物之烧结温度系低于900℃。38.一种降低铋基氧化锌陶瓷系统之烧结温度之方法,该铋基氧化锌陶瓷系统系由一组合物于低于1000℃之烧结温度烧结而成,该方法包括:(a)提供氧化锌粉末;(b)添加添加剂至该氧化锌粉末中以形成该组合物,其中该添加剂之添加量系至多10莫耳%,该氧化锌粉末之含量系至少90莫耳%;及(c)添加硼锌化合物至该氧化锌粉末中,该硼锌化合物之含量为相对于该氧化锌粉末之0.01至10重量%。39.如申请专利范围第38项之方法,其中该硼锌化合物系为[(ZnO)4B2O3]。40.如申请专利范围第38项之方法,其中该添加剂进一步包含金属氧化物及其混合物,该金属氧化物之金属系选自铬、锰及钴。41.如申请专利范围第38项之方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径系小于0.3m。42.如申请专利范围第41项之方法,其中步骤(a)中氧化锌粉末的粒径系界于0.15至0.30m。43.如申请专利范围第38项之方法,进一步包括:(d)添加0.001至1莫耳%的氢氧化铝以形成该组合物。44.如申请专利范围第38项之方法,其中该添加剂包含氧化锑及氧化铋,且锑/铋的莫耳数比小于2.5。45.如申请专利范围第44项之方法,其中该锑/铋的莫耳数比小于2.0。46.如申请专利范围第45项之方法,其中该锑/铋的莫耳数比小于0.5。图式简单说明:图1表示本发明中实例1及实例2中加工温度与加工时间之变化图;图2表示本发明实例1中,烧结温度与密度之关系图;及图3表示本发明实例2中,不同锑/铋的莫耳数比之组合物,其烧结温度与收缩率之关系图。
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