| 主权项 |
1.一种金属内连线制程,包括:提供一基底,该基底上方已形成有一介电层,且该介电层中已形成有一开口;在该介电层上以及该开口内形成一第一导电层,该第一导电层并未填满该开口;在该第一导电层上形成一缓冲层,并填满该开口;移除部分该缓冲层,而保留下位于该开口内之该缓冲层;移除部分该第一导电层,而保留下位于该开口内之该第一导电层;移除该缓冲层;以及形成一第二导电层,覆盖该介电层以及该第一导电层,并填满该开口。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中该缓冲层与该第一导电层之间具有蚀刻选择比。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中该缓冲层之材质系选自光阻材质、无机介电材质以及有机介电材质其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制,其中在形成该第一导电层之前,更包括先在该介电层以及该开口之表面形成一阻障层。5.如申请专利范围第4项所述之金属内连线制程,其中该阻障层之材质包括钛/氮化钛。6.如申请专利范围第4项所述之金属内连线制程,其中在形成该阻障层之后,更包括进行一回火制程。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中在形成该第二导电层之后,更包括进行一平坦化步骤,直到该介电层暴露出来。8.如申请专利范围第7项所述之金属内连线制程,其中该平坦化步骤包括进行一化学机械研磨制程。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中移除部分该缓冲层,而保留下位于该开口内之该缓冲层之方法包括进行一蚀刻制程。10.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中移除部分该第一导电层,而保留下位于该开口内之该第一导电层之方法包括进行一回蚀刻制程。11.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中该第一导电层以及该第二导电层之材质相同。12.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中该开口系选自一接触窗开口、一沟渠以及一双重镶嵌开口其中之一。13.一种填开口的方法,包括:提供一基底,该基底上方已形成有一材料层,且该材料层中已形成有一开口;在该开口内形成一第一沈积层,该第一沈积层并未填满该开口;在该第一沈积层上形成一缓冲层,并填满该开口;移除部分该缓冲层,而保留下位于该开口内之该缓冲层;移除部分该第一沈积层,而保留下位于该开口内之该第一沈积层;移除该缓冲层;以及形成一第二沈积层,覆盖该材料层以及该第一沈积层,并填满该开口。14.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中该缓冲层与该第一沈积层之间具有蚀刻选择比。15.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中该缓冲层之材质系选自光阻材质、无机介电材质以及有机介电材质其中之一。16.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中在形成该第二沈积层之后,更包括进行一平坦化步骤,直到该材料层暴露出来。17.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中移除部分该缓冲层,而保留下位于该开口内之该缓冲层之方法包括进行一蚀刻制程。18.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中移除部分该第一沈积层,而保留下位于该开口内之该第一沈积层之方法包括进行一回蚀刻制程。19.如申请专利范围第13项所述之填开口的方法,其中该第一沈积层以及该第二沈积层之材质相同。图式简单说明:第1A图到第1E图是习知金属镶嵌制程的流程剖面示意图;第2A图至第2H图是本发明一较佳实施例的一种金属内连线之制程剖面示意图;以及第3A图至第3F图是依照本发明一较佳实施例的一种填开口之方法的流程剖面示意图。 |
