| 主权项 |
1.一种执行程序调整之方法,包含下列步骤:使用制造工具对半导体晶圆执行第一制程;撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料,该整合式度量资料包括利用整合在该制造工具内之度量工具所撷取之资料;根据该整合式度量资料而执行整合式度量资料前馈程序,该整合式度量资料前馈程序包含下列步骤:根据与该半导体晶圆的该第一制程相关的该整合式度量资料,而识别该半导体晶圆上的至少一个误差;以及对将要对该晶圆执行的第二制程执行调整程序,以便补偿该误差;以及系根据该调整程序而对该半导体晶圆执行该第二制程。2.如申请专利范围第1项之方法,其中撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料之该步骤包含下列步骤:利用整合式度量工具撷取度量资料。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该执行整合式度量资料前馈程序之该步骤进一步包含下列步骤:接收在该半导体晶圆上完成了该第一制程之通知;针对度量分析而识别该半导体晶圆;以及利用该整合式度量工具撷取所识别的该半导体晶圆之整合式度量资料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中根据与该半导体晶圆的该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的至少一个误差之该步骤进一步包含下列步骤:将该整合式度量资料与预定容限范围比较;以及根据该整合式度量资料与该预定容限范围之该比较,回应与该整合式度量资料相关的至少一个参数系在该预定容限范围之外的决定,而决定有一误差存在。5.如申请专利范围第4项之方法,其中对将要对该晶圆执行的第二制程执行调整程序以便补偿该误差之该步骤进一步包含下列步骤:根据该第一制程而识别该半导体晶圆上的误差;计算补偿因数,以便减小所识别的该误差之效应;根据该补偿因数而修改与该第二制程相关的控制输入参数;以及根据该修改后的控制输入参数而执行该半导体晶圆的该第二制程。6.如申请专利范围第5项之方法,其中计算补偿因数以便减小所识别的该误差之效应之该步骤进一步包含下列步骤:计算修改后的蚀刻时间、修改后的化学机械研磨时间、及修改后的照射量的至少其中之一。7.一种执行程序调整之方法,包含下列步骤:使用制造工具对半导体晶圆执行第一制程;撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料,该整合式度量资料包括利用整合在该制造工具内之度量工具所撷取之资料;根据与该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的误差;计算补偿因数,以便减小所识别的该误差之效应;根据该补偿因数而修改与将要对该晶圆执行的第二制程相关的控制输入参数;以及根据该修改后的控制输入参数而执行该半导体晶圆的该第二制程。8.如申请专利范围第7项之方法,其中根据与该半导体晶圆的该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的至少一个误差之该步骤进一步包含下列步骤:将该整合式度量资料与预定容限范围比较;以及根据该整合式度量资料与该预定容限范围之该比较,回应与该整合式度量资料相关的至少一个参数系在该预定容限范围之外的决定,而决定有误差存在。9.如申请专利范围第7项之方法,其中计算补偿因数以便减小所识别的该误差之效应之该步骤进一步包含下列步骤:计算修改后的蚀刻时间、修改后的化学机械研磨时间、及修改后的照射量的至少其中之一。10.一种执行程序调整之系统,包含:制程控制器,用以执行整合式度量前馈作业,该整合式度量前馈作业包含下列步骤:撷取与半导体的第一制程相关的整合式度量资料之机构,该整合式度量资料包括利用整合在该制造工具内之度量工具所撷取之资料;根据与该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的误差之机构;计算补偿因数以便减小所识别的该误差之效应之机构;根据该补偿因数而修改与将要对该晶圆执行的第二制程相关之控制输入参数之机构;根据经过修改的该控制输入参数而执行该半导体晶圆的第二制程之机构;在作业上耦合到该制程控制器之整合式度量资料储存单元,该整合式度量资料储存单元系用来接收该整合式度量资料;以及在作业上耦合到该制程控制器及该整合式度量资料储存单元之前馈单元,该前馈单元系回应识别了与该半导体晶圆的该制程相关的至少一个误差,而执行该前馈功能。11.如申请专利范围第10项之系统,进一步包含:在作业上耦合到该前馈单元之电脑系统,该电脑系统执行补偿因数的至少一个计算,以便执行该前馈作业;在作业上耦合到该电脑系统之制造模型,该制造模型产生及修改至少一个控制输入参数信号;在作业上耦合到该制造模型之机器介面,该机器介面可自该制造模型接收制程配方;可处理半导体晶圆且系在作业上耦合到该机器介面之处理工具,该第一处理工具系由该机器介面接收至少一个控制输入参数信号;以及与该处理工具整合的整合式度量工具,该整合式度量工具系撷取该整合式度量资料,并将该整合式度量资料传送到该整合式度量资料储存单元。12.如申请专利范围第11项之系统,其中该电脑系统可回应该前馈作业而产生修改资料,以便修改该制造模型中之至少一个参数。13.如申请专利范围第11项之系统,其中该整合式度量工具系位于该处理工具内。14.一种执行程序调整之装置,包含:利用制造工具对半导体晶圆执行第一制程之装置;撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料之装置,该整合式度量资料包括利用整合在该制造工具内之度量工具所撷取之资料;根据与该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的误差之装置;计算补偿因数以便减小所识别的该误差之效应之装置;根据该补偿因数而修改与将要对该晶圆执行的第二制程相关的控制输入参数之装置;以及根据该修改后的控制输入参数而执行该半导体晶圆的该第二制程之装置。15.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行施行程序调整之方法,该方法包含下列步骤:使用制造工具对半导体晶圆执行第一制程;撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料,该整合式度量资料包括利用整合在该制造工具内之度量工具所撷取之资料;根据该整合式度量资料而执行整合式度量资料前馈程序,该整合式度量资料前馈程序包含下列步骤:i根据与该半导体晶圆的该第一制程相关的该整合式度量资料,而识别该半导体晶圆上的至少一个误差;以及对将要对该晶圆执行的第二制程执行一调整程序,以便补偿该误差;以及系根据该调整程序而对该半导体晶圆执行该第二制程。16.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行申请专利范围第15项所述方法,其中撷取与该半导体晶圆的该第一制程相关的整合式度量资料之该步骤包含下列步骤:利用整合式度量工具撷取度量资料。17.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行申请专利范围第16项所述方法,其中执行整合式度量资料前馈程序之该步骤进一步包含下列步骤:接收在该半导体晶圆上完成了该第一制程之通知;针对度量分析而识别该半导体晶圆;以及利用该整合式度量工具撷取所识别的该半导体晶圆之整合式度量资料。18.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行申请专利范围第15项所述方法,其中根据与该半导体晶圆的该第一制程相关的该整合式度量资料而识别该半导体晶圆上的至少一个误差之该步骤进一步包含下列步骤:将该整合式度量资料与一预定容限范围比较;以及根据该整合式度量资料与该预定容限范围之该比较,回应与该整合式度量资料相关的至少一个参数系在该预定容限范围之外的决定,而决定有误差存在。19.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行申请专利范围第18项所述方法,其中对将要对该晶圆执行的第二制程执行调整程序以便补偿该误差之该步骤进一步包含下列步骤:根据该第一制程而识别该半导体晶圆上的误差;计算补偿因数,以便减小所识别的该误差之效应;根据该补偿因数而修改与该第二制程相关的控制输入参数;以及根据该修改后的控制输入参数而执行该半导体晶圆的该第二制程。20.一种以指令编码的电脑可读取之程式储存装置,而当电脑执行该等指令时,即执行申请专利范围第19项所述方法,其中计算补偿因数以便减小所识别的该误差之效应之该步骤进一步包含下列步骤:计算修改后的蚀刻时间、一修改后的化学机械研磨时间、及修改后的照射量的至少其中之一。图式简单说明:第1图示出正在处理的先前技艺半导体晶圆之简化图;第2图是在半导体晶圆的制造期间的先前技艺制程流动之简化流程图;第3图是根据本发明一实施例的系统之方块图;第4图是根据本发明一实施例的第3图所示系统之较详细之方块图;第5图是根据本发明一实施例的第3及第4图所示的处理工具之较详细之方块图;第6图是根据本发明一实施例的制程流动之方块图;第7图是根据本发明一实施例的方法之流程图;第8图是根据本发明一实施例而如第7图所示的撷取整合式度量资料的方法之流程图;第9图是根据本发明一实施例而如第7图所示的执行整合式度量资料传输及状态更新的方法之流程图;以及第10图是根据本发明一实施例而如第7图所示的执行整合式度量前馈程序的方法之流程图。 |
