| 主权项 |
1.一种能在高电压下操作的电路装置,操作于一操作电压下,该装置包含:一第一电晶体,具有一第一崩溃电压,该第一电晶体系于一第一工作电压下操作;一第二电晶体,具有一第二崩溃电压,该第二电晶体系于一第二工作电压下操作;及一介面单元,与该第一电晶体和该第二电晶体串联连接;其中,该操作电压高于该第一工作电压,藉由该介面单元,使得该第一以及第二电晶体分别于该第一以及第二工作电压下操作。2.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第一电晶体系为一PMOS电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第一电晶体系为一NMOS电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第二电晶体系为一NMOS电晶体。5.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第二电晶体系为一PMOS电晶体。6.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该介面单元包含:一电阻;及一电容,与该电阻并联连接。7.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该介面单元是一第三电晶体,具有一第三崩溃电压,该第三崩溃电压之量値系高于该第一崩溃电压。8.如申请专利范围第7项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体具有一闸极,用以接收一第一控制讯号。9.如申请专利范围第8项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一NMOS电晶体。10.如申请专利范围第9项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该电路装置处于一省电模式时,该第一控制讯号系为一低电位讯号。11.如申请专利范围第8项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一PMOS电晶体。12.如申请专利范围第11项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该电路装置处于一省电模式时,该第一控制讯号系为一高电位讯号。13.如申请专利范围第7项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一CMOS电晶体。14.如申请专利范围第7项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体操作于三极体区(triode region)或饱和区(saturation region)。15.如申请专利范围第1项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该第一电晶体于该操作电压下操作时,会使该第一电晶体发生崩溃(avalanche breakdown)。16.一种能在高电压下操作的电路装置,操作于一操作电压下,该电路装置包含:一第一电晶体,系于一第一工作电压下工作,该第一电晶体之崩溃电压为一第一崩溃电压(breakdownvoltage);及一介面单元,与该第一电晶体连接,该介面单元使得该第一工作电压低于该第一崩溃电压;其中该操作电压高于该第一崩溃电压。17.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第一电晶体系为一PMOS电晶体。18.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第一电晶体系为一NMOS电晶体。19.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该装置更包括一第二电晶体,该第二电晶体可于一第二工作电压下操作,该第二电晶体之崩溃电压为一第二崩溃电压,该第二电晶体系与该介面单元连接,该介面单元使得该第二工作电压低于该第二崩溃电压。20.如申请专利范围第19项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第二电晶体系为一NMOS电晶体。21.如申请专利范围第19项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第二电晶体系为一PMOS电晶体。22.如申请专利范围第19项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该介面单元系分别与该第一电晶体及该第二电晶体连接。23.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中前述介面单元包含:一电阻;及一电容,与该电阻并联连接。24.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中前述介面单元为一第三电晶体。25.如申请专利范围第24项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体具有一闸极,用以接收一第一控制讯号。26.如申请专利范围第24项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体之崩溃电压高于该第一崩溃电压。27.如申请专利范围第24项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一NMOS电晶体。28.如申请专利范围第27项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该电路装置处于一省电模式时,该第一控制讯号系为一低电位讯号。29.如申请专利范围第24项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一PMOS电晶体。30.如申请专利范围第29项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该电路装置处于一省电模式时,该第一控制讯号系为一高电位讯号。31.如申请专利范围第24项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体系为一CMOS电晶体。32.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中该第三电晶体操作于二极体区(triode region)或饱和区(saturation region)。33.如申请专利范围第16项所述之能在高电压下操作的电路装置,其中当该第一电晶体于该操作电压操作时,会使该第一电晶体烧毁。图式简单说明:图1显示本发明之类比电路装置之示意图。图2显示依据本发明之第一实施例之示意图。图3显示依据本发明之第二实施例之示意图。图4显示依据本发明之第三实施例之示意图。图5显示依据本发明之第四实施例之示意图。图6显示依据本发明之第五实施例之示意图。图7显示依据本发明之第六实施例之示意图。 |
