| 主权项 |
1.一种经涂布之基材,包括:抗反射组成物层,该抗反射组成物层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的成分;以及位于该抗反射组成物层上之光阻剂层。2.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之碳环芳基二羧酸酯基的成分。3.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基的成分。4.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基的成分。5.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物层复包括交联剂成分。6.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物系经交联。7.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物复包括酸或酸产生剂化合物。8.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物包括聚酯树脂。9.如申请专利范围第1项之基材,其中,该抗反射组成物层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的树脂。10.如申请专利范围第9项之基材,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之碳环芳基二羧酸酯基。11.如申请专利范围第9项之基材,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基。12.如申请专利范围第9项之基材,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基。13.如申请专利范围第1至第12项中任一项之基材,其中,该抗反射组成物系以包括一种或一种以上之羟基异丁酸酯之溶剂成分来调配。14.如申请专利范围第1至第12项中任一项之基材,其中,该抗反射组成物系以包括甲基-2-羟基异丁酸酯之溶剂成分来调配。15.如申请专利范围第1至第12项中任一项之基材,其中该光阻剂组成物为化学放大型正光阻剂组成物。16.如申请专利范围第1至第12项中任一项之基材,其中,该光阻剂组成物为负光阻剂。17.如申请专利范围第1至第12项中任一项之基材,其中该基材为微电子晶圆基材。18.一种经涂布之基材,包括:抗反射组成物层,该抗反射组成物层系以包括一种或一种以上之羟基异丁酸酯的溶剂成分来调配。19.如申请专利范围第18项之基材,其中,该抗反射组成物系以包括甲基-2-羟基异丁酸酯之溶剂成分来调配。20.如申请专利范围第18项之基材,其中,该抗反射组成物层复包括交联剂成分。21.如申请专利范围第18项之基材,其中,该抗反射组成物系经交联。22.如申请专利范围第18项之基材,其中,该抗反射组成物复包括酸或酸产生剂化合物。23.如申请专利范围第18项之基材,其中,该抗反射组成物包括树脂。24.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂为聚酯。25.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂为共聚物。26.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂为三聚物。27.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂为四聚物。28.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂包括丙烯酸酯单元。29.如申请专利范围第23项之基材,其中,该树脂包括发色基团。30.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该抗反射组成物包括发色基团,该些发色基团系存在于与该树脂分开之物质中。31.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该抗反射层包括视需要经取代之基、视需要经取代之基或视需要经取代之苯基。32.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该抗反射组成物包括复数种不同之树脂。33.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该光阻剂组成物为化学放大型正光阻剂组成物。34.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该光阻剂组成物为负光阻剂。35.如申请专利范围第18至第29项中任一项之基材,其中,该基材为微电子晶圆基材。36.一种光阻剂浮雕像之形成方法,包括:于基材上涂布抗反射组成物层,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之羟基异丁酸酯的溶剂成分;于该抗反射组成物层上涂布光阻剂组成物层;以及对该光阻剂组成物层曝光及显影以产生光阻剂浮雕像。37.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗反射组成物包括包含甲基-2-羟基异丁酸酯之溶剂成分。38.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗反射组成物复包括交联剂成分。39.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗反射组成物系于涂布该光阻剂之前先进行交联反应。40.如申请专利范围第36项之方法,其中该光阻层系以具有短于300奈米波长之辐射线曝光。41.如申请专利范围第36项之方法,其中,该光阻层系以具有短于200奈米波长之辐射线曝光。42.如申请专利范围第36项之方法,其中,该光阻层系以具有248奈米波长之辐射线曝光。43.如申请专利范围第36项之方法,其中,该光阻层系以具有193奈米波长之辐射线曝光。44.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗反射组成物复包括酸或酸产生剂化合物。45.如申请专利范围第36项之方法,其中,该抗反射组成物包括树脂。46.如申请专利范围第45项之方法,其中该树脂骨干包括酯重复单元。47.如申请专利范围第45项之方法,其中,该树脂为共聚物。48.如申请专利范围第45项之方法,其中,该树脂为三聚物。49.如申请专利范围第45项之方法,其中,该树脂为四聚物。50.如申请专利范围第45项之方法,其中,该树脂包括丙烯酸酯单元。51.如申请专利范围第45项之方法,其中,该树脂包括发色基团。52.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该抗反射组成物包括发色基团,该些发色基团系存在于与该树脂分开之物质中。53.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该抗反射层包括视需要经取代之基、视需要经取代之基或视需要经取代之苯基。54.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该抗反射层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的成分。55.如申请专利范围第54项之方法,其中,该抗反射层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之碳环芳基二羧酸酯基的成分。56.如申请专利范围第55项之方法,其中,该抗反射层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基的成分。57.如申请专利范围第55项之方法,其中,该抗反射层包括包含一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基的成分。58.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该抗反射组成物包括复数种不同之树脂。59.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该光阻剂组成物为化学放大型正光阻剂组成物。60.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该光阻剂组成物为负光阻剂。61.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,其中,该基材为微电子晶圆基材。62.如申请专利范围第36至第51项中任一项之方法,复包括于显影后处理该基材以制造微电子晶圆。63.一种光阻剂浮雕像之形成方法,包括:于基材上涂布抗反射组成物层,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的成分;于该抗反射组成物层上涂布光阻剂组成物层;以及对该光阻剂组成物层曝光及显影以产生光阻剂浮雕像。64.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之碳环芳基二羧酸酯基的成分。65.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基的成分。66.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基的成分。67.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物复包括交联剂成分。68.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物系于涂布该光阻剂之前先进行交联反应。69.如申请专利范围第63项之方法,其中,该光阻层系以具有短于300奈米波长之辐射线曝光。70.如申请专利范围第63项之方法,其中,该光阻层系以具有短于200奈米波长之辐射线曝光。71.如申请专利范围第63项之方法,其中,该光阻层系以具有约248奈米波长之辐射线曝光。72.如申请专利范围第63项之方法,其中,该光阻层系以具有短于193奈米波长之辐射线曝光。73.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物复包括酸或酸产生剂化合物。74.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物包括树脂。75.如申请专利范围第63项之方法,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的树脂。76.如申请专利范围第75项之方法,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基。77.如申请专利范围第75项之方法,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基。78.如申请专利范围第75项之方法,其中,该树脂包括一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基。79.如申请专利范围第74至第78项中任一项之方法,其中,该树脂包括包含二羧酸酯基之丙烯酸酯单元。80.如申请专利范围第74至第78项中任一项之方法,其中该树脂为共聚物。81.如申请专利范围第74至第78项中任一项之方法,其中,该树脂为三聚物。82.如申请专利范围第74至第78项中任一项之方法,其中,该树脂为四聚物。83.如申请专利范围第63至第78项中任一项之方法,复包括于显影后处理该基材以制造微电子晶圆。84.如申请专利范围第83项之方法,其中,于显影后对该基材进行化学性蚀刻。85.一种抗反射涂层组成物,包括:树脂;酸或酸产生剂化合物;以及包括一种或一种以上之羟基异丁酸酯的溶剂成分。86.如申请专利范围第85项之组成物,其中,该溶剂成分包括甲基-2-羟基异丁酸酯。87.如申请专利范围第85项之组成物,其中,该组成物复包括交联剂成分。88.如申请专利范围第85至第87项中任一项之组成物,其中,该组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之苯基、视需要经取代之基、或视需要经取代之基的成分。89.如申请专利范围第85至第87项中任一项之组成物,其中,该组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之二羧酯基的成分。90.一种抗反射涂层组成物,其包括包含一种或一种以上之视需要经取代之芳基二羧酸酯基的成分。91.如申请专利范围第90项之组成物,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之碳环芳基二羧酸酯基的成分。92.如申请专利范围第90项之组成物,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之基二羧酸酯基的成分。93.如申请专利范围第90项之组成物,其中,该抗反射组成物包括包含一种或一种以上之视需要经取代之苯基二羧酸酯基的成分。94.如申请专利范围第90至第93项中任一项之组成物,其中,该组成物包括交联剂成分。95.如申请专利范围第90至第93项中任一项之组成物,其中,该组成物包括酸或酸产生剂化合物。96.如申请专利范围第90至第93项中任一项之组成物,其中,该组成物包括包含一种或一种以上之羟基异丁酸酯的溶剂成分。97.如申请专利范围第90至第93项中任一项之组成物,其中,该组成物包括包含甲基-2-羟基异丁酸酯的溶剂成分。图式简单说明:第1图显示位于下述实施例34抗反射组成物上的显影后光阻剂浮雕像之SEM。第2图显示位于下述实施例35抗反射组成物上的显影后光阻剂浮雕像之SEM。第3图显示位于下述实施例36抗反射组成物上的显影后光阻剂浮雕像之SEM。第4图显示位于下述实施例37(实施例37a、37b及37c之三种不同光阻剂)抗反射组成物上的显影后光阻剂浮雕像之SEM。 |
