| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体(thin film transistor;TFT)电路,包含:一第一薄膜电晶体,该第一薄膜电晶体包含一半导体层及一闸极,该半导体层包含一汲极区及一源极区;一第二薄膜电晶体,该第二薄膜电晶体包含一半导体层及一闸极,该半导体层包含一汲极区及一源极区,该第二薄膜电晶体之汲极区与该第一薄膜电晶体之源极区连接;一资料线(data line),该资料线与该第一薄膜电晶体之汲极区(drain region)连接;一储存电容(storage capacitor),该储存电容包含一第一电极与该第二薄膜电晶体之源极区连接,该储存电容包含一第二电极;以及一调整电容(adjusting capacitor),该调整电容包含一第一电极与该第一薄膜电晶体之源极区(source region)连接,该调整电容之一部份为该资料线所覆盖。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体电路,其中该调整电容之第一电极系利用该第一薄膜电晶体之半导体层延长形成。3.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体电路,其中该半导体层包含一多晶矽(poly-silicon)层。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体电路,更包含一共同线,其中该调整电容包含一第二电极与该共同线连接,且该储存电容之第二电极与该共同线连接。5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体电路,更包含一闸极线,其中该第一薄膜电晶体之闸极与该闸极线连接,且该第二薄膜电晶体之闸极与该闸极线连接。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体电路,该第一薄膜电晶体之闸极与该第二薄膜电晶体之闸极连接,并形成一L型双闸极。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体电路,其中该调整电容之全部为该资料线所覆盖。图式简单说明:图1为一低漏电流薄膜电晶体电路示意图;图2为习知技术实施例配置俯视图;图3为本发明较佳实施例配置俯视图;图4为图3沿II-II方向剖面图;以及图5为图3沿III-III方向剖面图。 |
