| 主权项 |
1.一种形成配向层的方法,此配向层系应用于一液晶显示器,该方法包含下列步骤:藉由导入一数量之材料形成一配向层于一基板上,用以调整组成材料的一化学计量比,其中该数量决定该配向层给定之一预倾角;以及入射一离子于该配向层,供控制该预倾角的一致性。其中入射该离子的步骤包含入射一离子束至该配向层的一表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料包含碳矽化合物(SiCx),且导入该数量之材料的步骤,包含导入碳以调整x値。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料包含氧化矽与氮化矽其中一种,且导入该数量之材料的步骤,包含导入其他氮与氧,供形成氮氧化矽(siliconoxynitride)。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该材料包含具有电子之材料。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该配向层的步骤与入射该离子的步骤系同时执行的。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该配向层系用以使一液晶倾斜垂直配向之效果。7.一种形成配向层的方法,该配向层系应用于一液晶显示器中,该方法包含:形成一配向层于一基板上,该基板包含一第一材料,该第一材料提供垂直配向之效果;导入一数量之一第二材料,该第二材料比该第一材料提供较多之平行配向效果,该数量决定该配向层的一预倾角;以及入射一离子于该配向层,用以控制该预倾角的一致性。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中入射该离子的步骤包含入射一离子束至该配向层的一表面。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一材料包含矽,且导入该第二材料的步骤包含导入碳,以调整该预倾角。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一材料包含氧化矽与氮化矽其中一种,且导入该第二材料的步骤包含导入其他的氮与氧以作为该第二材料,供形成氮氧化矽。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第二材料包含具有可电子之材料。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中导入该第二材料的步骤与入射该离子的步骤系同时进行的。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该配向层系提供一液晶倾斜垂直配向的效果。14.一种液晶显示器装置,包含一配向层,该配向层包含一复数个组成材料,该组成材料包含一化学计量关系,该化学计量关系供调整一给定预倾角;以及一液晶材料,该液晶材料接触该配向层。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该组成材料包含碳化矽SiCx,其中x供调整该化学计量关系。16.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该组成材料包含氮氧化矽。17.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该组成材料包含具有可电子之材料。18.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该配向层包含一倾斜垂直配向层。图式简单说明:图1系为根据本发明之平板,以及形成于平板之导电层剖面图;图2系为本发明图1之导电层,以及于导电层上具有预倾角之配向层剖面图;图3系为本发明图2以离子束处理之配向层;图4系为本发明另一实施例,显示经化学性地淬火及/或之离子束处理后之表面剖面图;图5系根据本发明之液晶显示器元件的剖面图;与图6A与6B垂直形式的预倾角与不同材料基板之关系图,以及图6B为图6A之放大图。 |
