| 主权项 |
1.一种快闪记忆体之制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底上已依序形成有一穿隧介电层、一导体层与一罩幕层;图案化该罩幕层、该导体层、该穿隧介电层与该基底以形成一沟渠于该基底中;于该沟渠中形成一绝缘层,且该绝缘层之表面介于该导体层与该基底之间;于该罩幕层与部分该导体层之侧壁形成一导体间隙壁,该导体层与该导体间隙壁构成一浮置闸极;移除该罩幕层;于该浮置闸极上形成一闸间介电层;以及于该基底上形成一控制闸极。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该闸间介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该罩幕层与部分该导体层之侧壁形成一导体间隙壁之步骤包括:于该基底上形成一导体材料层;以及进行非等向性蚀刻制程,移除部分该导体材料层而于该罩幕层与部分该导体层之侧壁形成该导体间隙壁。4.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该沟渠中形成该绝缘层,且该绝缘层之表面介于该导体层与该基底之间之步骤包括:于该基底上形成填满该沟渠之一绝缘材料层;平坦化该绝缘材料层,以暴露该罩幕层之表面;以及移除部分该绝缘材料层,使该绝缘材料层之表面介于该导体层与该基底之间,而形成该绝缘层。5.如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体之制造方法,其中平坦化该绝缘材料层之方法例如是化学机械研磨法。6.如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于移除部分该绝缘材料层之方法包括回蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该绝缘层之材质包括以四-乙基-邻-矽酸脂/臭氧为反应气体来源,以化学气相沈积法形成之氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层之方法包括湿式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层之材质包括氮化矽。10.如申请专利范围第6项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层包括以磷酸作为蚀刻剂。11.一种快闪记忆体之制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,该基底上已依序形成有一穿隧介电层、一第一导体层与一罩幕层;图案化该罩幕层、该第一导体层、该穿隧介电层与该基底以形成一沟渠于该基底中;于该基底上形成填满该沟渠之一绝缘层;平坦化该绝缘层,以暴露该罩幕层之表面;移除部分该绝缘层,使该绝缘层之表面约略高于该穿隧介电层之表面;于该基底上形成一第二导体层;进行非等向性蚀刻制程,移除部分该第二导体层而于该罩幕层与部分该第一导体层之侧壁形成一导体间隙壁,该该第一导体层与该导体间隙壁构成一浮置闸极;移除该罩幕层;于该浮置闸极上形成一闸间介电层;以及于该基底上形成一控制闸极。12.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该闸间介电层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。13.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中平坦化该绝缘材料层之方法例如是化学机械研磨法。14.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于移除部分该绝缘层之方法包括回蚀刻法。15.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中于该绝缘层之材质包括以四-乙基-邻-矽酸酯/臭氧为反应气体来源,以化学气相沈积法形成之氧化矽。16.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层之方法包括湿式蚀刻法。17.如申请专利范围第16项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层之材质包括氮化矽。18.如申请专利范围第11项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除该罩幕层包括以磷酸作为蚀刻剂。图式简单说明:第1A图至第1G图为绘示本发明最佳实施例所述之一种浮置闸快闪记忆体的制造方法流程剖面图。 |
