| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体(thin film transistor,TFT)之制造方法,包括:提供一基板;形成一第一导电层于该基板上,并图案化该第一导电层以形成一闸极;形成覆盖该闸极之一绝缘层;于该绝缘层上依次形成一半导体层(semiconductorlayer)及一掺杂半导体层(doped semiconductor layer),并图案化该半导体层及该掺杂半导体层以形成一层状岛(laminated island),该层状岛由该半导体层及该掺杂半导体层所形成;形成覆盖该层状岛之一阻障层(barrier layer);形成一光阻层,并图案化该光阻层以使该光阻层具有一第一开口及一第二开口,该第一开口与该第二开口系分别相对于该层状岛之两个边缘区域;填入一第二导电材料于该第一开口及该第二开口;去除该光阻层,以使于该第一开口之该第二导电材料形成一第一电极,并使于该第二开口之该第二导电材料形成一第二电极;以及以该第一电极及该第二电极为遮罩,移除该阻障层与该掺杂半导体层,则该第一电极与其下之该阻障层形成一汲极电极,该第二电极与其下之该阻障层形成一源极电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第二导电材料系选自铜、铜合金、银、银合金之一。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,填入该第二导电材料之步骤系利用电镀法。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,填入该第二导电材料之步骤系利用溅镀法。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,去除该光阻层之步骤系利用浮离法(lift off)。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该基板系为玻璃基板。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该半导体层系为非晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该阻障层系为高熔点之金属。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该阻障层系选自钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)及钨(W)之一。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一导电层系选自铜、铜合金、银、银合金之一。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中,该第一导电层与该基板间更包括一闸极阻障层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该闸极阻障层系为高熔点之金属。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该闸极阻障层系选自钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)之一。图式简单说明:第1A及1B图绘示为经一般铜制程的薄膜电晶体剖面图。第2A~2E图绘示为利用本发明一较佳实施例之制造方法的循序制造薄膜电晶体的剖面图。 |
