发明名称 溅镀装置及薄膜制造方法
摘要 本发明系提供一种溅镀装置及薄膜制造方法,其系用以形成高方向比之薄膜。藉由阳极与接地电极包围真空槽12内之靶子20与基板台16之间的空间。阳极4配置于靶子20侧,并施加正电压,接地电极5、6配置于基板台16侧并连接于接地电位。以阳极4弯曲飞行方向之溅镀粒子30的轨道可修正,并垂直射入基板台16上之基板17表面。由于入射至基板17表面的溅镀粒子量增加,而且垂直射入,因此可形成高方向比之薄膜。
申请公布号 TW593714 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW090115127 申请日期 2001.06.21
申请人 真空技术股份有限公司 发明人 森本直树;近藤智保;长 英人
分类号 C23C14/22 主分类号 C23C14/22
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种溅镀装置,其特征在于具备有:真空槽;靶子,系配置于上述真空槽内;基板台,系配置于上述真空槽内与上述靶子相对向之位置;阳极,系在上述靶子与上述基板台间的空间,从上述靶子溅出之溅镀粒子所飞行之飞行空间中,包围上述靶子侧部分之周围;接地电极,在上述飞行空间之残留部分,包围上述阳极与上述基板台之间的部分;俾使上述接地电极与上述阳极彼此电性绝缘并可分别施加不同的电压;上述接地电极分割成第1.第2接地电极,在上述第1.第2接地电极间形成间隙;上述阳极成形为筒状,在一侧开口端部外周设有凸缘部;在上述真空槽内部突出有与上述真空槽电性绝缘的导电性端子构件;上述阳极系上述凸缘部载置于上述端子构件,与设有上述凸缘部之开口端部相反侧之开口部朝向上述基板台。2.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中具有电源且上述真空槽与上述接地电极连接于接地电位,上述阳极藉由上述电源施加正电压。3.如申请专利范围第2项之溅镀装置,其中上述基板台配置于晶圆载置台上,俾使可对上述晶圆载置台施加负电压而组成。4.一种薄膜制造方法,系于真空槽内配置靶子,并将上述真空槽连接于接地电位,对上述靶子施加负电压且于上述靶子表面附近形成电浆,使从上述靶子飞溅出之溅镀粒子到达表面与上述靶子相对配置之基板,在上述基板表面形成薄膜之薄膜制造方法,其特征为:使用申请专利范围第1项所记载之溅镀装置;上述靶子与上述基板台之间的空间从上述靶子飞溅出之溅镀粒子所飞行的飞行空间中,以包围上述靶子侧之部分的周围之阳极包围;上述基板附近周围之电位连接于接地电位,对上述阳极施加正电压并进行上述靶子之溅镀。5.如申请专利范围第4项之薄膜制造方法,其中对上述基板施加负的偏压电压。图式简单说明:第1图系本发明一例之溅镀装置。第2图系用以说明阳极之图。第3图系用以说明第1接地电极之图。第4图系用以说明第2接地电极之图。第5图系用以说明本发明之溅镀装置的基板之入射电流的图表。第6图系习知技术之溅镀装置例。
地址 日本