发明名称 半穿透反射式液晶显示面板之画素结构
摘要 一种半穿透反射式液晶显示面板画素结构,包括一上基板与一下基板。下基板之上表面可区分为一覆盖有反射层之反射区与一穿透区。混成向列型液晶分子层系夹合于上下基板之间。第一画素电极与第一共同电极系间隔第一预定距离制作于反射区上,以产生横向电场驱动液晶分子转向。第二画素电极与第二共同电极,系间隔第二预定距离制作于穿透区上,以产生横向电场驱动液晶分子转向。并且,第一预定距离大于第二预定距离。因此,当一操作电压输入此画素结构,反射区上液晶分子层产生之相位延迟小于在穿透区上之液晶分子层。五、(一)、本案代表图为:第四图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:下基板100上基板300液晶分子层400彩色滤光膜102第一偏光膜104四分之一波板306第二偏光膜304反射板314玻璃基材108,308第一配向膜120第二配向膜320第一画素电极402第二画素电极406第一共同电极404第二共同电极408
申请公布号 TW594292 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW092129124 申请日期 2003.10.21
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林敬桓
分类号 G02F1/1337 主分类号 G02F1/1337
代理机构 代理人 李长铭 台北市中山区南京东路二段五十三号九楼;翁仁滉 台北市中山区南京东路二段五十三号九楼
主权项 1.一种半穿透反射式液晶显示面板之画素结构,至少包括:一上基板;一下基板,制作于该上基板之下方,并且,该下基板之上表面可区分为一覆盖有反射层之反射区与一穿透区;一混成向列型液晶分子层,系夹合于该上下基板之间;一第一画素电极与一第一共同电极,系制作于该反射区上,间隔一第一预定距离,产生横向电场以驱动液晶分子转向;一第二画素电极与一第二共同电极,系制作于该穿透区上,间隔一第二预定距离,产生横向电场以驱动液晶分子转向,并且,该第一预定距离系大于该第二预定距离;当一操作电压输入该画素结构,在该反射区上之该液晶分子层产生之相位延迟小于在该穿透区上之该液晶分子层。2.如申请专利范围第1项之画素结构,在输入该操作电压前,该混成向列液晶分子层预置有四分之一波长之相位延迟效果,以产生四分之一波板之功能。3.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有第一配向膜,并且该下基板之上表面制作有第二配向膜,并且,该第二配向膜所具有之预倾角系大于该第一配向膜之预倾角,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。4.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有第一配向膜,并且该下基板之上表面制作有第二配向膜,并且,该第二配向膜所具有之预倾角系小于该第一间向膜之预倾角,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。5.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有横向配向膜,该下基板之上表面制作有垂直配向膜,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。6.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有垂直配向膜,该下基板之上表面制作有横向配向膜,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。7.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该下基板包括四分之一波板制作于一玻璃基材下表面。8.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板包括第一偏光膜制作于一玻璃基材上表面,该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于一玻璃基材下表面,并且,该第二偏光膜与该第二偏光膜之偏光方向系互相垂直。9.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下,该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。10.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。11.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该二画素电极与该二共同电极均呈长条状突起制作于该下基板上。12.如申请专利范围第1项之画素结构,系应用于黑底之半穿透反射式液晶显示器。13.一种半穿透反射式液晶显示面板之画素结构,至少包括:一上基板,包括第一偏光板制作于该上基板之上表面;一下基板,制作于该上基板之下方,该下基板包括四分之一波板与第二偏光膜由上而下制作于该下基板之下表面,并且,该下基板之上表面可区分为一覆盖有反射层之反射区与一穿透区;一混成向列型液晶分子层,系夹合于该上下基板之间,并且呈现相当于四分之一波长之相位延迟;一第一画素电极与一第一共同电极,系呈长条状突起制作于该反射区上,间隔一第一预定距离,产生横向电场以驱动液晶分子转向;一第二画素电极与一第二共同电极,系呈长条状突起制作于该穿透区上,间隔一第二预定距离,产生横向电场以驱动液晶分子转向,并且,该第一预定距离系大于该第二预定距离;当一操作电压输入该画素结构,在该反射区上之该液晶分子层之相位延迟效果由四分之一波长增加为二分之一波长,而在该穿透区上之该液晶分子层之相位延迟效果由四分之一波长增加为四分之三波长,以达最大显示亮度。14.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有第一配向膜,并且该下基板之上表面制作有第二配向膜,并且,该第二配向膜所具有之预倾角系大于该第一配向膜之预倾角,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。15.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有第一配向膜,并且该下基板之上表面制作有第二配向膜,并且,该第二配向膜所具有之预倾角系小于该第一配向膜之预倾角,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。16.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有横向配向膜,该下基板之上表面制作有垂直配向膜,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。17.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该上基板之下表面制作有垂直配向膜,该下基板之上表面制作有横向配向膜,藉以使该上下基板间之向列型液晶分子呈混成状排列。18.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该上基板包括二分之一波板制作于该第一偏光膜下,该下基板包括二分之一波板制作于该第二偏光膜上。19.如申请专利范围第13项之画素结构,其中该二画素电极与该二共同电极均以铟锡氧化物为材料。20.如申请专利范围第13项之画素结构,系应用于黑底之半穿透反射式液晶显示器。图式简单说明:第一图系一典型黑底半穿透反射式液晶显示器画素结构之示意图。第二A与B图系在未通入操作电压之情况下,一典型半穿透反射式液晶显示面板运作之示意图。第三A与B图系在通有操作电压之情况下,一典型半穿透反射式液晶显示面板运作之示意图。第四图系本发明半穿透反射式液晶显示器画素结构一较佳实施例之示意图。第五A与B图系在未通入操作电压之情况下,本发明半穿透反射式液晶显示面板运作之示意图。第六A与B图系在通有操作电压之情况下,本发明半穿透反射式液晶显示面板运作之示意图。
地址 新竹市科学工业园区力行二路一号
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