| 主权项 |
1.一种有机发光二极体,包含一形成于一基材上的正极,一形成于该正极上的发光层,及一形成于该发光层上的负极,其特征在于该发光层为具有下式I或II的化合物:其中Ar1与Ar2独立的为具取代基或不具取代基的异基(isochrysene,triphenylenyl)、基(anthracenyl)、基(napthalyl)、二苯基(biphenyl)、苯骈菲基(pyrenyl)或菲基(phenanthrenyl);其中Ar1.Ar2的定义同上;Ar3为为具取代基或不具取代基的伸苯基(phenylene)、伸二苯基(biphenylene)、伸基(naphthylene)、伸基(anthracenylene)、或伸芴基(fluorenylene)。2.如申请专利范围第1项的有机发光二极体,其进一步包含一形成该发光层及该负极之间的电子传递层。3.如申请专利范围第2项的有机发光二极体,其进一步包含一介于该正极与该发光层之间的电洞传递层。4.如申请专利范围第2项的有机发光二极体,其中该发光层同时为电洞传递层。5.如申请专利范围第3项的有机发光二极体,其进一步包含该正极与该电洞传递层之间的一电洞注入修饰层。6.如申请专利范围第4项的有机发光二极体,其进一步包含该正极与该发光层之间的一电洞注入修饰层。7.如申请专利范围第1-6项中任一项的有机发光二极体,其中该发光层为具式I的化合物,且Ar1与Ar2相同。8.如申请专利范围第7项的有机发光二极体,其中该式I的化合物为Ia-1或Id-1:。9.如申请专利范围第8项的有机发光二极体,其中该式I的化合物为Ia-1。10.如申请专利范围第1-6项中任一项的有机发光二极体,其中该发光层为具式II的化合物,且Ar1与Ar2相同。11.如申请专利范围第10项的有机发光二极体,其中该式II的化合物的Ar3为伸苯基。12.如申请专利范围第11项的有机发光二极体,其中该式II的化合物该发光层为具式IIa-1或IIb-1的化合物:。 |
