| 主权项 |
1.一种全氟化合物之分解方法,其特征为含全氟化合物之气流,在水蒸气或水蒸气与氧存在下,于500~800℃之温度与触媒接触,以将全氟化合物中之氟转化为氟化氢,其中该全氟化合物系仅以氟为卤素者,而该触媒系以铝、镍及钨做为触媒活性成分,且含有铝与镍组成之复合氧化物及钨与镍组成之复合氧化物。2.如申请专利范围第1项之全氟化合物之分解方法,其中该触媒之镍/铝莫耳比为5/95~40/60,且含有为镍与铝总重之0.1~10重量%之钨。3.一种全氟化合物分解触媒,其为使仅以氟为卤素之全氟化合物与水蒸气或水蒸气及氧反应而分解用之触媒,其特征为以镍、钨及铝做为触媒活性成分,且含有镍与铝组成之复合氧化物以及镍与钨组成之复合氧化物;该触媒之镍/铝莫耳比为5/95~40/60,且含有为镍与铝总重之0.1~10重量%之钨。4.一种全氟化合物分解触媒之调制方法,其特征为于铝原料之粉末中,添加包含镍原料之水溶液后烧成,然后,添加包含钨原料之水溶液后烧成,由此而得到含有镍与铝组成之复合氧化物以及镍与钨组成之复合氧化物之触媒。5.一种全氟化合物之处理装置,其特征为具备供得到用氮或空气稀释之全氟化合物气流之手段;供将水蒸气添加于该气流之手段;供添加水蒸气之气流与触媒接触而将全氟化合物分解之反应器;充填于该反应器中,且以镍、铝及钨做为触媒活性成分,并含有镍与铝组成之复合氧化物及镍与钨组成之复合氧化物之触媒;供该触媒加热至全氟化合物分解温度之加热手段;以及将含有该反应器内生成之分解生成物之气体与水或硷接触而从气流中除去氟化氢之排气洗净槽。6.一种蚀刻气体之处理装置,其特征为于半导体或液晶蚀刻装置之后段,设置申请专利范围第5项之全氟化合物之处理装置,以处理蚀刻气体。图式简单说明:图1为显示依照本发明之处理装置之一实施例之概略图。图2为显示CF4分解率与反应温度之关系之图。图3为显示CF4分解率与W量之关系之图。图4为显示CF4分解率与反应温度之关系之图。图5为显示C2F6分解率与H2O当量比之关系之图。图6为依照本发明产生之触媒之X光绕射图。图7为依照本发明之触媒之XPS分析图。 |
