植入式环带(CUFF)电极之制作方法

摘要

本发明系有关于一种植入式环带(cuff)电极之制作方法，包含以下步骤：先提供一高分子基板，该高分子基板之玻璃转移温度为Tg，且该高分子基板上至少有一金属层或电路；随后依序该高分子基板进行局部热处理，其中该局部热处理之温度介于(Tg-50℃)至(Tg+50℃)之间；以及冷却该局部热处理之该高分子基板。本发明之制作过程简单，材料成本低，完成后不需外加任何辅助器，所以不会增加体积或重量，且可准确、可靠地、表面平滑地、且弹性地植入人体，并介于刺激元件与生物组织之间，同时可随神经生长而自动调整，避免损伤神经。伍、(一)、本案代表图为：第____2____图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：10 聚亚醯胺(polyimide)基版15 右侧端20 金属层或电路30 细杆

主权项

1.一种植入式环带(cuff)电极之制作方法,包含以下步骤:(A)提供一高分子基板,该高分子基板之玻璃转移温度为Tg,且该高分子基板上至少有一金属层或电路;(B)该高分子基板进行局部热处理,其中该局部热处理之温度介于(Tg-50℃)至(Tg+50℃)之间;以及(C)冷却该局部热处理之该高分子基板。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该高分子基板进行局部热处理系于钝性气体环境下进行。3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该局部热处理之时间介于1分钟至60分钟之间。4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该高分子基板为生物相容性基板。5.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该高分子基板之材料为聚亚醯胺(polyimide)、聚氨基甲酸酯(polyurethane)、或矽胶(Silicon rubber)。6.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该金属层为金、铜、镍或铝所构成。7.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该金属层系作为电极。8.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该钝性气体为氮气或氩气。9.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中该局部热处理之时间为1分钟至10分钟之间。图式简单说明:图1系本发明聚亚醯胺(polyimide)基材Tg及热膨胀系数(Thermal expansion coefficient)之量测图。图2系本发明环带(cuff)电极局部热处理之流程图。