| 主权项 |
1.一种降低膜成形树脂中金属离子含量的方法,该 方法系包括以下步骤: a)提供膜成形树脂于水不可溶混溶剂系统中之溶 液,该溶剂系统系包含至少一种水不可溶混溶剂; b)提供一洗液,其包含水或水溶性金属离子钳合剂 之稀溶液; c)经由两个别入口进料a)及b)之溶液至液相/液相离 心机中,该入口中之一系进料a)之溶液,第二个入口 进料b)之溶液至该液相/液相离心机中,进料速率比 例系为a)溶液相对于b)溶液为10/90至90/10,温度由0℃ 至一最高温度,其低于该水不可溶混溶剂系统中最 低沸点水不可溶混溶剂的沸点;及 d)于该液相/液相离心机中旋转步骤c)之混合物,旋 转速度系足以将步骤c)之混合物分离成两个别相, 之后收集该两个别相,其各经由个别出口进入两个 别容器中,其中较重之相(H)系包含膜成气树脂,金 属离子含量低于水不可溶混溶剂系统,与少量之水 ;而较轻之相(L)系包含:1)金属离子之水溶液及少量 之2)水不可溶混溶剂系统与3)膜成形树脂之混合物 。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该膜成形树 脂系至少一种选自包括酚醛清漆树脂、聚羟基苯 乙烯及其衍生物之群者。3.如申请专利范围第1项 之方法,其中该水溶性金属离子钳合剂系为至少一 种选自包括乙二胺四乙酸(EDTA)、EDTA之铵盐、及柠 檬酸之群者。4.如申请专利范围第1项之方法,其中 于步骤a)中,该水不可溶混溶剂系统系包含单氧基 羧酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、2-庚酮、丙二醇 甲基醚、或其中至少两种之混合物。5.如申请专 利范围第1项之方法,其中于步骤c)中,来自步骤a)及 b)之溶液系于较该水不可溶混溶剂系统中最低沸 点之水不可溶混溶剂沸点低0℃至10℃之温度下进 料至离心机中。6.如申请专利范围第1项之方法,其 中于步骤d)中,来自步骤c)之混合物系于500至50,000 转每分钟的速度下旋转。7.如申请专利范围第1项 之方法,其另外包括依以下顺序重复地进行步骤e) 及f)之循环: e)经由两个别入口将步骤d)之较重相(H)及较轻相(L) 进料至该液相/液相离心机中,该入口中之一系进 料较重相(H),而第二入口系进料该较轻相(L),较重 相(H)相对于较轻相之进料速率比例系由10/90至90/10 ,温度系由0℃至一最高温度,其低于该水不可溶混 溶剂系统中最低沸点水不可溶混溶剂之沸点; f)于该液相/液相离心机中旋转步骤e)之混合物,旋 转速度足以将步骤e)之混合物分成两个别相,各经 由个别出口进入两个别容器中,其中该较重相(H)系 含有于水不可溶混溶剂系统中之膜成形树脂与少 量之水;而较轻相(L)系包含1)金属离子水溶液及少 量之2)水不可溶混溶剂系统与3)膜成形树脂之混合 物。8.如申请专利范围第7项之方法,其中步骤e)及f )之循环系重复进行至步骤f)中之较重相(H)具有实 质未改变之金属离子浓度。9.一种降低膜成形树 脂之金属离子含量的方法,该方法系包括以下步骤 : a)提供膜成形树脂于水不可溶混溶剂系统中之溶 液,该溶剂系统系包含至少一种水不可溶混溶剂; b)提供一洗液,其包含水或水溶性金属离子钳合剂 之稀溶液; c)经由两个别入口进料a)及b)之溶液至液相/液相离 心机中,该入口中之一系进料a)之溶液,第二个入口 进料b)之溶液至该液相/液相离心机中,进料速率比 例系为a)溶液相对于b)溶液为10/90至90/10,温度由0℃ 至一最高温度,其低于该水不可溶混溶剂系统中最 低沸点水不可溶混溶剂的沸点; d)于该液相/液相离心机中旋转步骤c)之混合物,旋 转速度系足以将步骤c)之混合物分离成两个别相, 之后收集该两个别相,其各经由个别出口进入两个 别容器中,其中较重之相(H)系包含位于水不可溶混 溶剂系统中而金属离子含量降低之膜成气树脂,与 少量之水;而较轻之相(L)系包含:1)金属离子之水溶 液及少量之2)水不可溶混溶剂系统与3)膜成形树脂 之混合物;且依以下顺序反覆地进行步骤e)及f)之 循环: e)将另一份b)溶液添加于步骤d)之较轻相(L)中,以形 成新的较轻相(L)混合物,经由两个别入口将该较轻 相(L)之新混合物及步骤d)之较重相(H)--该入口中之 一系进料较重相(H),而第二入口系进料该较轻相(L) 之新混合物--进料至该液相/液相离心机中,该较轻 相(L)之新混合物相对于较重相(H)之进料速率比例 系由10/90至90/10,温度系由0℃至一最高温度,其系低 于该水不可溶混溶剂系统中最低沸点之水不可溶 混溶剂的沸点;且 f)于该液相/液相离心机中旋转步骤d)之混合物,旋 转速度足以将步骤e)之混合物分离成两个别相,之 后收集该两相,各经由个别出口进入两个别容器中 ,其中该较重相(H)系包含位于水不可溶混溶剂系统 中而金属离子含量降低之膜成气树脂及少量水;且 较轻相(L)系包含:1)金属离子之水溶液,及少量之2) 水不可溶混溶剂系统与3)膜成形树脂之混合物。10 .如申请专利范围第9项之方法,其中步骤e)及f)之循 环系重复进行,直至步骤f)中较重相(H)中之金属离 子浓度实质不变。11.一种制造光阻组合物之方法, 该方法系包括: a)根据如申请专利范围第1.7.8.9或10项之方法提供 具有较低金属离子含量之膜成形树脂; b)提供以下物质之掺合物:1)感光性组份,其含量足 以使光阻组合物进行光敏化;2)a);之膜成形树脂;及 视情况使用之3)附加光阻溶剂;以形成一光阻组合 物。12.一种制造半导体装置之方法,其系于一基材 上形成影像,该方法系包括: a)提供如申请专利范围第11项之光阻组合物; b)之后,使用步骤a)之光阻组合物涂布一适当之基 材; c)之后,热处理该经涂布基材,直至实质所有水不可 溶混溶剂系统皆被移除;使该经涂布基材成像曝光 ;之后使用适当之显影剂移除该经涂布基材的成像 曝光之区域,或未曝光区域。 |
