| 主权项 |
1.一种反射型光电装置,是属于一种在挟持光电物 质的基板上,至少在各画素中形成有电性连接于一 条或复数条配线的画素开关用主动元件,及光反射 膜,且在该光反射膜的下层侧与该光反射膜平面重 叠的领域中形成有赋予上述光反射膜的表面预定 的凹凸图案的凹凸形成层之反射型光电装置; 其特征为: 在上述凹凸形成层的下层侧与该凹凸形成层平面 重叠的领域中形成有供以消除高低差的高低差消 除膜,该高低差是根据有无形成上述主动元件的导 电膜而形成; 该高低差消除膜是由构成上述配线的导电膜,构成 上述主动元件的导电膜,及绝缘膜的其中一层所形 成。2.如申请专利范围第1项之反射型光电装置,其 中上述高低差消除膜是同时形成于与构成上述配 线的导电膜或构成上述主动元件的导电膜同一层 。3.如申请专利范围第1项之反射型光电装置,其中 上述高低差消除膜是针对形成上述主动元件的导 电膜的形成层数少的领域来选择性形成,藉此来消 除上述高低差。4.如申请专利范围第1项之反射型 光电装置,其中上述主动元件是连接于作为上述配 线的扫描线及资料线之薄膜电晶体; 上述高低差消除膜是包含同时形成于与上述扫描 线同一层的导电膜,及同时形成于与上述资料线同 一层的导电膜的其中至少一方。5.如申请专利范 围第1项之反射型光电装置,其中上述主动元件是 连接于作为上述配线的扫描线及资料线之薄膜电 晶体,且在上述画素中形成有供以构成储存电容的 电容线; 上述高低差消除膜是包含同时形成于与上述扫描 线同一层的导电膜,及同时形成于与上述电容线同 一层的导电膜,以及同时形成于与上述资料线同一 层的导电膜的其中至少一层。6.如申请专利范围 第2项之反射型光电装置,其中上述高低差消除膜 是由上述配线,或构成上述主动元件的导电膜分离 而形成岛状。7.如申请专利范围第2项之反射型光 电装置,其中上述高低差消除膜是由上述配线,或 构成上述主动元件的导电膜而延设。8.如申请专 利范围第1项之反射型光电装置,其中上述凹凸形 成层是由表面具备对应于平稳膜厚变化的凹凸之 感光性树脂所构成; 在上述光反射膜的表面上,反映形成于上述凹凸形 成层的表面的凹凸而形成有上述凹凸图案。9.如 申请专利范围第8项之反射型光电装置,其中上述 凹凸形成层是藉由隔着对感光性树脂之曝光光罩 的半曝光,及显示而形成。10.如申请专利范围第1 项之反射型光电装置,其中上述凹凸形成层是由选 择性形成预定图案的感光性树脂所构成; 在上述光反射膜的表面,对应于上述凹凸形成层的 有无而形成有上述凹凸图案。11.如申请专利范围 第10项之反射型光电装置,其中上述凹凸形成层是 藉由隔着对感光性树脂之曝光光罩的曝光,及显示 而形成。12.如申请专利范围第10项之反射型光电 装置,其中在上述凹凸形成层的上层形成有上层绝 缘膜,在上述光反射膜的表面上,构成上述凹凸形 成层的凹凸会隔着该上层绝缘膜而反映形成有上 述凹凸图案。13.如申请专利范围第1项之反射型光 电装置,其中上述凹凸形成层是形成于上述画素的 约全域。14.如申请专利范围第1项之反射型光电装 置,其中在上述光反射膜形成有光透过窗。15.如申 请专利范围第1项之反射型光电装置,其中在上述 光反射膜形成有光透过窗,且避开与该光透过窗平 面重叠的领域而形成有上述高低差消除膜。16.一 种反射型光电装置,是属于一种在挟持光电物质的 基板上,至少在各画素中形成有电性连接于一条或 复数条配线的画素开关用主动元件,及光反射膜, 且在该光反射膜的下层侧与该光反射膜平面重叠 的领域中形成有赋予上述光反射膜的表面预定的 凹凸图案的凹凸形成层之反射型光电装置; 其特征为: 在上述凹凸形成层的下层侧与该凹凸形成层平面 重叠的领域中,形成有与其他领域电性绝缘的岛状 图案,该岛状图案是由构成上述配线的导电膜,及 构成上述主动元件的导电膜的其中至少一层所形 成。17.如申请专利范围第16项之反射型光电装置, 其中上述凹凸形成层是由表面具备对应于平稳膜 厚变化的凹凸之感光性树脂所构成; 在上述光反射膜的表面上,反映形成于上述凹凸形 成层的表面的凹凸而形成有上述凹凸图案。18.如 申请专利范围第17项之反射型光电装置,其中上述 凹凸形成层是藉由隔着对感光性树脂之曝光光罩 的半曝光,及显示而形成。19.如申请专利范围第16 项之反射型光电装置,其中上述凹凸形成层是由选 择性形成预定图案的感光性树脂所构成; 在上述光反射膜的表面,对应于上述凹凸形成层的 有无而形成有上述凹凸图案。20.如申请专利范围 第19项之反射型光电装置,其中上述凹凸形成层是 藉由隔着对感光性树脂之曝光光罩的曝光,及显示 而形成。21.如申请专利范围第19项之反射型光电 装置,其中在上述凹凸形成层的上层形成有上层绝 缘膜,在上述光反射膜的表面上,构成上述凹凸形 成层的凹凸会隔着该上层绝缘膜而反映形成有上 述凹凸图案。22.如申请专利范围第16项之反射型 光电装置,其中上述凹凸形成层是形成于上述画素 的约全域。23.如申请专利范围第16项之反射型光 电装置,其中在上述光反射膜形成有光透过窗。24. 如申请专利范围第16项之反射型光电装置,其中在 上述光反射膜形成有光透过窗,且避开与该光透过 窗平面重叠的领域而形成有上述岛状图案。25.如 申请专利范围第1~24项的其中任一项所记载之反射 型光电装置,其中上述光电物质为液晶。26.一种电 子机器,其特征是使用申请专利范围第1~24项的其 中任一项所规定的反射型光电装置来作为显示装 置。27.如申请专利范围第26项之电子机器,其中上 述光电物质为液晶。图式简单说明: 第1图是表示由对向基板侧所见本发明之光电装置 的平面图。 第2图是表示第1图的H-H'线剖面图。 第3图是表示在光电装置中,形成于配置成矩阵状 的复数个画素的各种元件及配线等之等效电路图 。 第4图是表示本发明之实施形态1的TFT阵列基板的 画素构成平面图。 第5图是表示从第4图所示的TFT阵列基板的画素群 中仅显示出配线及构成TFT的导电膜之平面图。 第6图是表示相当于第4图的A-A'线的位置之光电装 置的剖面图。 第7(A)~(C)图是表示第5图所示之TFT阵列基板的制造 方法的过程剖面图。 第8(D)~(G)图是表示第5图所示之TFT阵列基板的制造 方法的过程剖面图。 第9(H)~(J)图是表示第5图所示之TFT阵列基板的制造 方法的过程剖面图。 第10(K),(L)图是表示第5图所示之TFT阵列基板的制造 方法的过程剖面图。 第11图是表示本发明之实施形态2的TFT阵列基板的 画素构成平面图。 第12图是表示相当于第11图的B-B'线的位置之光电 装置的剖面图。 第13图是表示本发明之实施形态3的TFT阵列基板的 画素构成平面图。 第14图是表示相当于第13图的C-C'线的位置之光电 装置的剖面图。 第15图是表示本发明之实施形态4的TFT阵列基板的 画素构成平面图。 第16图是表示相当于第15图的D-D'线的位置之光电 装置的剖面图。 第17图是表示本发明之实施形态5的TFT阵列基板的 画素构成平面图。 第18图是表示相当于第17图的E-E'线的位置之光电 装置的剖面图。 第19(A),(B)图皆是表示本发明之实施形态6的光电装 置的剖面图。 第20图是表示本发明之实施形态7的光电装置的剖 面图。 第21图是表示本发明之实施形态8的光电装置的剖 面图。 第22图是表示使用本发明之光电装置来作为显示 装置之电子机器的电路构成方块图。 第23图是表示使用本发明之光电装置的电子机器 之一实施形态的携带型个人电脑的说明图。 第24图是表示使用本发明之光电装置的电子机器 之一实施形态的行动电话的说明图。 第25图是表示以往的TFT阵列基板的画素构成平面 图。 第26图是表示相当于第25图的G-G'线的位置之光电 装置的剖面图。 第27图是表示对供以在以往的TFT阵列基板中形成 凹凸形成层的感光性树脂进行曝光过程的说明图 。 |
