发明名称 磁碟用基板之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法
摘要 (摘要)提供于磁碟用基板之研磨加工上,可抑制平面下垂等发生之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法。(解决手段)至少一种选自苹果酸、乙醇酸、琥珀酸、柠檬酸、马来酸、衣康酸、丙二酸、亚胺乙酸、葡糖酸、乳酸、苦杏仁酸、巴豆酸、烟酸、硝酸铝、硫酸铝及硝酸铁(Ⅲ)之化合物所形成之加工促进剂,及至少一种选自聚乙烯基咯烷酮、聚环氧乙烷山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚环氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制剂,及至少一种选自氧化铝、二氧化矽、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化矽及碳化矽之研磨材料,及水之磁碟用基板之研磨用组成物及使用该组成物的研磨方法。
申请公布号 TW593632 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW091124806 申请日期 2002.10.24
申请人 富士见股份有限公司 发明人 石桥智明
分类号 C09K13/00;C09G1/00 主分类号 C09K13/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种磁碟用基板之研磨用组成物,其特征为,使用 于磁碟用基板之研磨加工之研磨用组成物,其含有 (a)至少一种选自苹果酸、乙醇酸、琥珀酸、柠檬 酸、马来酸、衣康酸、丙二酸、亚胺乙酸、葡糖 酸、乳酸、苦杏仁酸、巴豆酸、烟酸、硝酸铝、 硫酸铝及硝酸铁(Ⅲ)之化合物所形成之加工促进 剂,及 (b)至少一种选自聚乙烯基咯烷酮、聚环氧乙烷 山梨糖醇酐脂肪酸酯及聚环氧乙烷山梨糖醇脂肪 酸酯之化合物所形成之平面下垂抑制剂,及 (c)至少一种选自氧化铝、二氧化矽、氧化铈、氧 化锆、氧化钛、氮化矽及碳化矽之研磨材料,及 (d)水。2.如申请专利范围第1项之磁碟用基板之研 磨用组成物,其中该(b)中之聚环氧乙烷山梨糖醇酐 脂肪酸酯及聚环氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯系至少 一种选自单月桂酸聚环氧乙烷山梨糖醇酐、单棕 榈酸聚环氧乙烷山梨糖醇酐、单硬脂酸聚环氧乙 烷山梨糖醇酐、单油酸聚环氧乙烷山梨糖醇酐、 三油酸聚环氧乙烷山梨糖醇酐、单辛酸聚环氧乙 烷山梨糖醇酐及四油酸聚环氧乙烷山梨糖醇之化 合物。3.如申请专利范围第1项之磁碟用基板之研 磨用组成物,其中该(b)中,聚环氧乙烷山梨糖醇酐 脂肪酸酯及聚环氧乙烷山梨糖醇脂肪酸酯,系相对 于1分子之山梨糖醇酐或山梨糖醇之环氧乙烷附加 比率为30以下。4.如申请专利范围第1项之磁碟用 基板之研磨用组成物,其中该(b)中之聚乙烯基咯 烷酮之平均分子量为2500至2900000。5.如申请专利范 围第1项至第4项中任一项之磁碟用基板之研磨用 组成物,其中该成份(b)之含量为相对于研磨用组成 物总重量之0.001至2%。6.如申请专利范围第1项至第 4项中任一项之磁碟用基板之研磨用组成物,其中 该(a)之含量为相对于研磨用组成物总重量之0.01至 25%。7.一种磁碟用基板之研磨方法,其特征为,使用 如申请专利范围第1项至第6项中任一项之磁碟用 基板之研磨用组成物,研磨磁碟用基板。图式简单 说明: 图1系表示评价平面边缘下垂用之测定位置图。
地址 日本