| 主权项 |
1.一种超微细立体构造的作成方法,系为使用聚焦 离子束装置之蒸镀技术,乃以原料瓦斯使用菲,以 离子使用自液体金属离子源之5乃至100keV之镓或金 ,硅酮,铍等离子,且将瓦斯喷涂密度比习知蒸镀时 提高5~10倍左右,而可容易并迅速形成, 藉将离子束之点电流密度设为1.0A/cm2以下同时,使 扫描速度呈超低速,且将射束台阶幅度设成比射束 静止时成长之蒸镀层柱直径为小,而回形成立体构 造物, 但,在此所谓之超低速扫描速度则是射束静止时之 蒸镀层柱成长速度为1/10~10倍左右之値。2.如申请 专利范围第1项之超微细立体构造的作成方法,其 中系将瓦斯喷涂方向以无方向或对称的予以实行 。3.如申请专利范围第1项之超微细立体构造的作 成方法,其中系藉将射束电流设于1pA以下,而可进 行蒸镀层柱直径100nm以下之立体构造物形成。4.如 申请专利范围第1乃至3项之任一项超微细立体构 造的作成方法,其中系以聚焦离子束装置采用具5 轴(x,y,z方向以及旋转,倾斜)驱动之试样台,并使照 射试样之离子束领域沿试样成长方法移动同时,控 制离子光学系统因应成长使射束焦点整合于加工 领域,而在超过该范围时驱动上述试样台以形成立 体构造物。5.一种超微细立体构造的作成方法,系 将由申请专利范围第1乃至4项记载之超微细立体 构造的作成方法所形成立体构造物在真空中加热 至600℃以上,使所注入镓元素凝聚呈微小溶滴后, 复藉加热于900~1000℃而予以蒸发除去为特征。6.一 种超微细立体构造的作成方法,系将由申请专利范 围第1乃至4项记载之超微细立体构造的作成方法 所形成立体构造物在真空中加热至600℃以上,使所 注入镓元素凝聚呈微小溶滴后,予以喷涂卤素瓦斯 形成为卤化镓而加以挥发除去为特征。7.一种超 微细立体构造的作成方法,系将由申请专利范围第 1乃至4项记载之超微细立体构造的作成方法所形 成立体构造物在真空中加热至600℃以上,使所注入 镓元素凝聚呈微小溶滴后,予以冷却浸渍于硷性溶 液而加以溶解除去为特征。8.一种超微细立体构 造的作成方法,系将由申请专利范围第1乃至7项记 载之超微细立体构造的作成方法所形成立体构造 物藉镀敷或其他CVD法予以形成所盼材质层为特征 。9.一种超微细立体构造的作成方法,系为使用聚 焦离子束装置之蒸镀技术,乃以原料瓦斯使用菲, 以离子使用自液体金属离子源之5乃至100keV之镓或 金,硅酮,铍等离子,且将瓦斯喷涂密度藉上述菲瓦 斯容器温度低于上述菲瓦斯不析出之界限温度加 以设定,而可容易并迅速形成为, 藉将离子束之点电流密度设为1.0A/cm2以下同时,使 扫描速度呈超低速,且将射束台阶幅度设成比射束 静止时成长之蒸镀层柱直径为小,而可形成立体构 造物, 但,在此所谓之超低速扫描速度则是射束静止时之 蒸镀层柱成长速度为1/10~10倍左右之値。图式简单 说明: 图1为显示以本发明之方法生成超微细立体构造物 之例示,其中,A为离子束照射领域之平面显示图,B 为所生成之线圈构造之立体显示图。 图2为以本发明之方法生成超微细立体构造物之钻 头之例示,其中,A为离子束照射领域之平面显示图, B为所生成之钻头构造之立体显示图。 图3为成为本发明基础之使用聚焦离子束之蒸镀现 象说明图。 图4为聚焦离子束装置之一般性构成说明图。 |
