发明名称 一种照光方式制作偏极化发光层之高分子电激发光元件及其制作方法
摘要 本发明一种照光方式制作偏极化发光层之高分子电激发光元件及其制作方法,其特别系指包括有一透明导电基板,于透明导电基板上涂布一层电洞传输层,于电洞传输层上涂布一层高分子发光层,且高分子发光层之高分子主链或侧链之functional group(官能基)施以照光配向,使其产生2+2反应并建立特定方向之连结,据以产生偏极化之电激发光,最后于高分子发光层上蒸镀阴极,并封装完成。五、(一)、本案代表图为:第__3__图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:
申请公布号 TW595253 申请公布日期 2004.06.21
申请号 TW092116211 申请日期 2003.06.16
申请人 胜园科技股份有限公司 发明人 张书文
分类号 H05B33/10;H05B33/12 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路一段二十三号十楼之一
主权项 1.一种照光方式制作偏极化发光层之高分子电激 发光元件之制作方法,其制作步骤如下: 步骤a:具有一透明导电基板; 步骤b:于透明导电基板上涂布一层电洞传输层; 步骤c:于电洞传输层上涂布一层高分子发光层; 步骤d:于高分子发光层之高分子主链或侧链之官 能基施以照光配向,使其形成特定之排列方向,据 以产生偏极化之电激发光; 步骤e:于高分子发光层上蒸镀阴极,并封装完成。2 .如申请专利范围第1项所述之一种照光方式制作 偏极化发光层之高分子电激发光元件之制作方法, 其中该官能基可为一本烯基、一肉桂酸基、6-香 豆素。3.一种照光方式制作偏极化发光层之高分 子电激发光元件,其主要包括有: 一透明导电基板; 一位于透明导电基板上之电洞传输层; 一照光配向之高分子发光层,系位于电洞传输层上 ; 一蒸镀于高分子发光层上之阴极。图式简单说明: 第1图系习知高分子发光层未经照光配向之示意图 。 第2图系本发明高分子电激发光元件之制作流程图 。 第3图系本发明高分子发光层经照光配向后之示意 图。 第4图系本发明高分子链锁链示意图。 第5图系本发明高分子电激发光元件之结构示意图 。
地址 台中市台中工业区工业七路九号
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